[实用新型]一种用于解决硅片表面清洗过程划伤和沾污的底座装置

说明书

本实用新型涉及一种用于解决硅片表面清洗过程划伤和沾污的底座装置，包括底座，所述的底座呈长板状结构，该底座的上端面上沿着长度方向均匀开设有多个凹槽，所述的凹槽的两侧分别贯穿底座两侧的侧壁，该凹槽的底面为斜面，所述的斜面上均匀布置有若干个孔洞，所述的孔洞呈竖直布置且下端贯穿底座的底面。本实用新型通过多个凹槽将片架一一分隔开来，硅片由于凹槽的斜面倾斜，硅片会通过自身重力作用斜靠到片架上，这样可以有效避免硅片在清洗过程中由于相互吸附和碰撞，导致清洗后硅片表面出现划伤和沾污，有利于提高硅片表面清洗质量。

技术领域

本实用新型涉及硅片清洗技术领域，特别是涉及一种用于解决硅片表面清洗过程划伤和沾污的底座装置。

背景技术

硅片清洗是IC制造过程中非常重要的环节，半导体加工过程中大部分工艺流程都涉及到清洗。硅片表面清洁是实现高性能处理的第一步，如果硅片表面不清洁或者有损伤，后续工艺无法正常进行。因此对硅片表面质量的要求将日趋严格，因为这是实现大规模集成电路立体化结构的关键。

清洗过程通常包括干法清洗和湿法清洗，其中湿法清洗又分为槽式清洗和单片清洗。槽式清洗是一整盒硅片装在一个片架中，然后平放投入装满清洗液中进行清洗，槽体中液体是处于流动状态的，这样有利于带走硅片表面的颗粒等其他物质。但是由于片架卡槽之间的距离有限，硅片在药液中很容易吸附在一起，流动的液体会带动硅片发生移动，这时吸附在一起的硅片很容易出现相互摩擦，导致清洗后硅片表面出现划伤和沾污。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于解决硅片表面清洗过程划伤和沾污的底座装置，通过多个凹槽将片架一一分隔开来，硅片由于凹槽的斜面倾斜，硅片会通过自身重力作用斜靠到片架上，这样可以有效避免硅片在清洗过程中由于相互吸附和碰撞，导致清洗后硅片表面出现划伤和沾污，有利于提高硅片表面清洗质量。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种用于解决硅片表面清洗过程划伤和沾污的底座装置，包括底座，所述的底座呈长板状结构，该底座的上端面上沿着长度方向均匀开设有多个凹槽，所述的凹槽的两侧分别贯穿底座两侧的侧壁，该凹槽的底面为斜面，所述的斜面上均匀布置有若干个孔洞，所述的孔洞呈竖直布置且下端贯穿底座的底面。

作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的底座采用PVDF材质制成。

作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的底座的底面为水平面，所述的斜面与水平面之间的夹角为5度。

作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，每个斜面上的孔洞均呈矩形阵列排布。

有益效果：本实用新型涉及一种用于解决硅片表面清洗过程划伤和沾污的底座装置，整个底座装置放置于槽式清洗机槽底，硅片装于PFA片架中，然后将片架放置于底座的凹槽，通过多个凹槽将片架一一分隔开来，硅片由于凹槽的斜面倾斜，硅片会通过自身重力作用斜靠到片架上，这样可以有效避免硅片在清洗过程中由于相互吸附和碰撞，导致清洗后硅片表面出现划伤和沾污，有利于提高硅片表面清洗质量。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型不同规格的结构示意图。

图示：1、底座，2、凹槽，3、孔洞，4、斜面。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。