[实用新型]高光提取效率的LED芯片结构有效
| 申请号： | 202023082850.0 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN214336735U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张秀敏 | 申请（专利权）人： | 普瑞（无锡）研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人： | 熊启奎;周晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提取 效率 led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高光提取效率的LED芯片结构，其特征在于：在芯片衬底上依次生长N-GaN层、量子阱层和P-GaN层，在P-GaN层上设有ITO膜，在此基础上利用沉积SiO2技术和酸腐液形成Si团簇，N-GaN层刻蚀形成N-GaN台阶，Si团簇刻蚀后在台阶侧壁(3)上形成不规则的形貌(4)。
2.根据权利要求1所述的高光提取效率的LED芯片结构，其特征在于：不规则的形貌(4)为由多个分散的半椭球组成的粗面。
3.根据权利要求1所述的高光提取效率的LED芯片结构，其特征在于：ITO膜经制作掩膜和腐蚀后形成图形化的ITO层(2)。
4.根据权利要求1所述的高光提取效率的LED芯片结构，其特征在于：所述台阶侧壁(3)是ICP刻蚀后与芯片表面之间的落差形成的侧面或斜坡。
5.根据权利要求1所述的高光提取效率的LED芯片结构，其特征在于：所述形成的N-GaN台阶位于芯片结构的边缘位置。
6.根据权利要求1所述的高光提取效率的LED芯片结构，其特征在于：在芯片结构表面沉积SiO2绝缘层(5)，通过电子束蒸发技术制作N、P焊盘电极(6)。
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