[实用新型]一种双控存储设备VPD信息写入结构

说明书

本实用新型公开的一种双控存储设备VPD信息写入结构，应用于双控存储设备VPD信息写入，包括背板，其中，所述背板上设置上拉电阻，所述上拉电阻电性连接上拉电源，所述上拉电阻电性连接所述双控存储设备一个主板的OSES处理模块和VPD存储模块；所述背板上设置接地端，所述接地端通过接口电性连接所述双控存储设备另一个主板的OSES处理模块和VPD存储模块；两个所述OSES处理模块通过背板上的总线连接；两个所述OSES处理模块分别通过各自主板上的总线连接各自对应的所述VPD存储模块。通过检测所述OSES处理模块的GPIO的电平信号获取目标VPD存储模块的地址信息，并根据目标VPD存储模块的地址信息执行VPD信息写入程序，从而确保VPD信息始终能写入到正确的主板的VPD存储模块中。

技术领域

本实用新型涉及VPD信息烧写装置领域，尤其涉及一种双控存储设备 VPD信息写入结构。

背景技术

双控存储设备在板卡的生产过程中，烧录重要产品数据(Vital Product Data，VPD)信息是一个必须的步骤，其中，目前VPD信息的烧录是在linux系统下运行脚本烧录的。

对于双控存储设备来说，由于本身带有两个主板，在进行烧录时，往往将VPD信息的目标主板作为测试主板，另一块主板作为工装主板，然而如果工装主板和测试主板位置颠倒，那么VPD存储模块的位置颠倒，那么VPD存储模块的地址信息颠倒，Linux环境运行VPD写入程序，由于程序中地址信息仍然是原来的地址，VPD信息就会因VPD存储模块地址信息颠倒而写入到工装主板而不会被写入测试主板的目标VPD存储模块。因此对现有的治具装备，如果颠倒位置则会造成烧写VPD信息错误。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种双控存储设备VPD信息写入结构，应用于双控存储设备VPD信息写入，包括背板，其中，

所述背板上设置上拉电阻，所述上拉电阻电性连接上拉电源，所述上拉电阻电性连接所述双控存储设备一个主板的OSES处理模块和VPD存储模块；

所述背板上设置接地端，所述接地端通过接口电性连接所述双控存储设备另一个主板的OSES处理模块和VPD存储模块；

两个所述OSES处理模块通过总线连接；

两个所述OSES处理模块分别通过总线连接各自对应的所述VPD存储模块。

更进一步地，所述上拉电阻电性连接一个主板OSES处理模块的GPIO。

更进一步地，所述VPD存储模块为EEPROM，所述上拉电阻电性连接一个主板VPD存储模块的地址配置管脚。

更进一步地，所述接地端电性连接另一个主板OSES处理模块的GPIO。

更进一步地，所述接地端电性连接另一个主板VPD存储模块的地址配置管脚，且两个所述地址配置管脚位置相对应设置，其他的地址配置管脚接相同的配置信号。

更进一步地，所述总线包括I2C总线。

本申请提出的一种双控存储设备VPD信息写入结构具体有以下有益效果：

本申请提供的双控存储设备VPD信息写入结构通过检测所述OSES处理模块的GPIO的电平信号获取目标VPD存储模块的地址信息，并根据目标 VPD存储模块的地址信息执行VPD信息写入程序，从而确保VPD信息始终能写入到正确的主板的VPD存储模块中。避免出现因所述双控存储设备的两个主板位置颠倒而导致VPD信息写入错误。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。