[实用新型]一种α、β表面沾染检测仪的γ射线采集和处理电路

权利要求书

1.一种α、β表面沾染检测仪的γ射线采集和处理电路，其特征在于，包括高压电源模块、G-M管驱动模块、波形处理模块以及MCU模块；

所述高压电源模块配置为向G-M管驱动模块提供其产生信号所需的电压；所述G-M管驱动模块配置为向波形处理模块发送模拟信号；所述波形处理模块配置为接收来自G-M管驱动模块的γ射线计数模拟信号，将γ射线计数模拟信号转换为数字信号后，发送至MCU模块处理；

所述高压电源模块至少包括高压电路、高压变压器和四倍压整流电路；其中，所述高压电路用于控制高压电源模块的通断，所述高压变压器用于控制次级电压为100-150V；所述四倍压整流电路用于为G-M管驱动模块输出电流；

所述G-M管驱动模块至少包括G-M计数管，所述G-M计数管用于检测和采集γ射线，并对γ射线进行计数；所述G-M管驱动模块通过电阻与高压电源模块形成连接，并通过接地将信号引出。

2.根据权利要求1所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述高压电路至少包括第一高压芯片U3、电阻R3和电容C8；其中，所述第一高压芯片U3包括GND引脚、Vin引脚、EN引脚、SCL引脚、SDA引脚、HV引脚，其中，GND引脚接地，Vin引脚接12V电源，SCL引脚接所述高压变压器，EN引脚以及SDA引脚均与MCU模块连接；第一高压芯片U3的HV引脚接电阻R3，电阻R3另一端接电容C8，电容C8另一端接地。

3.根据权利要求2所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述第一高压芯片U3的型号为PY120-1000。

4.根据权利要求1所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述高压电路至少包括第二高压芯片U4，电阻R16，以及电容C18、C19、C20；所述第二高压芯片U4包括GND引脚、+5V引脚、EN引脚、SCL引脚、SDA引脚、HV引脚；其中，GND引脚接地，+5V引脚接5V电源，EN引脚以及SDA引脚均与MCU模块连接；所述电容C18、C19、C20并联后，与电阻R16连接，电阻R16的另一端与第二高压芯片U4的HV引脚连接。

5.根据权利要求4所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述第二高压芯片U4的型号为PY50-1000。

6.根据权利要求1所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述高压电路还包括高压控制器，所述高压控制器的型号为LT3758。

7.根据权利要求1所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述高压变压器的磁芯采用EE13铁氧体。

8.根据权利要求1所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述高压电源模块为G-M管驱动模块提供的电压为400V～600V的直流电压。

9.根据权利要求1所述的γ射线采集和处理电路，其特征在于，所述G-M管驱动模块包括两只量程大小不同的G-M计数管。