[实用新型]采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置有效

专利信息
申请号: 202023103385.4 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN213783145U 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 韩锋;姚继忠;龚华刚;潘佩;韩卫峰 申请(专利权)人: 上海汇珏网络通信设备股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 潍坊博强专利代理有限公司 37244 代理人: 李伟
地址: 201414 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 采用 变压器 隔离带 偏置 任意 电源 驱动 装置
【权利要求书】:

1.采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,包括变压器,所述变压器设有初级绕组和次级绕组,其特征在于:所述初级绕组两端之间连接有变压器驱动电路,所述次级绕组的两端并联有正偏压电路、整流电路和负偏压电路,所述正偏压电路、所述整流电路和所述负偏压电路分别电连接至射极跟随电路,所述射极跟随电路的输出端连接至IGBT功率器件。

2.如权利要求1所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述变压器驱动电路包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电容C1,所述电阻R1的输入端连接至控制电源,所述电阻R1的输出端分别连接至所述三极管Q1的基极和所述三极管Q2的基极,所述三极管Q1的集电极连接至辅助电源,所述述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的发射极分别连接至所述电容C1的输入端,所述三极管Q2的集电极接地设置,所述初级绕组连接于所述电容C1的输出端与所述三极管Q2的集电极之间。

3.如权利要求2所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述三极管Q1为NPN开关型三极管,所述三极管Q2为PNP开关型三极管,所述辅助电源为12V,所述初级绕组与所述次级绕组的变比为1:2。

4.如权利要求1所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述正偏压电路包括串联在所述次级绕组两端的二极管D1和电容C3,所述二极管D1的阴极连接至电容C3的输入端,所述二极管D1的阴极还连接至所述射极跟随电路。

5.如权利要求4所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述整流电路包括串联在所述次级绕组两端的电容C2、二极管D2和稳压二极管DZ1,所述二极管D2的阴极连接至所述电容C2,所述二极管D2的阳极连接至所述稳压二极管DZ1的阳极,所述二极管D2的阴极还连接至所述射极跟随电路;

所述负偏压电路包括串联在所述次级绕组两端的稳压二极管DZ2、二极管D3和电容C4,且所述稳压二极管DZ2的阴极连接至所述二极管D3的阴极,所述二极管D3的阳极连接至所述电容C4,所述电容C4连接至所述射极跟随电路。

6.如权利要求4所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述整流电路包括串联在所述次级绕组两端的电容C2、二极管D2和电阻R8,所述二极管D2的阴极连接至所述电容C2,所述二极管D2的阳极连接至所述电阻R8,所述二极管D2的阴极还连接至所述射极跟随电路;

所述负偏压电路包括串联在所述次级绕组两端的电阻R7、二极管D3和电容C4,且所述电阻R7连接至所述二极管D3的阴极,所述二极管D3的阳极连接至所述电容C4,所述电容C4连接至所述射极跟随电路。

7.如权利要求4所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述整流电路包括串联在所述次级绕组两端的电容C2、二极管D2和稳压二极管DZ1,所述二极管D2的阴极连接至所述电容C2,所述二极管D2的阳极连接至所述稳压二极管DZ1的阳极,所述二极管D2的阴极还连接至所述射极跟随电路;

所述负偏压电路包括与所述次级绕组串联设置的独立绕组,所述独立绕组两端串联有二极管D3和电容C4,所述二极管D3的阳极连接至所述电容C4,所述电容C4连接至所述射极跟随电路。

8.如权利要求5、6或7所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述射极跟随电路包括三极管Q3、三极管Q4、电阻R4,所述三极管Q3的基极分别连接至所述二极管D2的阴极、所述电容C4和所述三极管Q4的基极,所述三极管Q3的集电极连接至所述二极管D1的阴极,所述三极管Q3的发射极通过所述电阻R4连接至所述IGBT功率器件;所述三极管Q4的基极连接至所述二极管D2的阴极和所述电容C4,所述三极管Q4的集电极连接至所述二极管D3的阳极,所述三极管Q4的发射极通过所述电阻R4连接至所述IGBT功率器件,所述IGBT功率器件与所述电阻R4之间还并联有电压偏置电路和双向电压限制电路。

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