[实用新型]一种抗电磁干扰保护装置和智能锁

权利要求书

1.一种抗电磁干扰保护装置，其特征在于，包括：

电磁脉冲感应模块，设置在被保护设备的壳体内，用于在被保护设备的系统电路遭到电磁干扰时，感应出电磁感应电流，其中，所述系统电路包括电机控制模块和系统电源；

放电电路，电连接在所述电磁脉冲感应模块和接地端之间；

隔离电路，与所述放电电路和开关电路连接，并控制所述开关电路使所述系统电源与所述电机控制模块断开；以及

开关电路，与所述隔离电路连接，并且所述开关电路连接在所述系统电源和所述电机控制模块之间的被保护端口处。

2.根据权利要求1所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，所述电磁脉冲感应模块包括天线，其中，所述天线用于将所述电磁干扰信号转换为所述电磁感应电流。

3.根据权利要求1或2所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，所述放电电路包括一个二极管或并联的多个二极管，其中，

所述一个或多个二极管的阳极与所述电磁脉冲感应模块中的天线连接；以及

所述一个或多个二极管的阴极与接地端连接。

4.根据权利要求3所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，根据所述电磁干扰的功率确定所述二极管的数量。

5.根据权利要求3所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，还包括滤波器，其中，

所述滤波器的一端连接至所述天线；以及

所述滤波器的另一端连接至所述一个或多个二极管的阳极。

6.根据权利要求3所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，所述隔离电路为光耦合器，所述光耦合器包括封装在一起的发光二极管和光敏三极管，其中，

所述发光二极管的阳极与所述一个或多个二极管的阳极连接；

所述发光二极管的阴极与所述一个或多个二极管的阴极连接；以及

所述光敏三极管的集电极与所述开关电路连接以及所述光敏三极管的发射极与所述接地端连接。

7.根据权利要求6所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，所述开关电路包括NMOS开关、PMOS开关、第一电阻器和第二电阻器，其中，

所述NMOS开关的栅极，分别与所述光敏三极管的集电极和所述第一电阻器的第一端连接；

所述NMOS开关的源极，与所述接地端连接；

所述NMOS开关的漏极，分别与所述PMOS开关的栅极和所述第二电阻器的第一端连接；

所述PMOS开关的源极，分别与所述第一电阻器的第二端、所述第二电阻器的第二端和所述系统电源连接；以及

所述PMOS开关的漏极，与所述电机控制模块连接。

8.根据权利要求3所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，所述隔离电路包括反向回路二极管、整流二极管和继电器，其中，

所述继电器的线圈的一个接线端，与所述整流二极管的阴极连接；

所述继电器的线圈的另一个接线端和所述反向回路二极管的阳极，与所述接地端连接；

所述整流二极管的阳极，分别与所述一个或多个二极管的阳极和所述反向回路二极管的阴极连接；

所述继电器的常开触点的第一接线端，与所述开关电路连接；以及

所述继电器的常开触点的第二接线端，与所述接地端连接。

9.根据权利要求8所述的抗电磁干扰保护装置，其特征在于，所述开关电路包括NMOS开关、PMOS开关、第一电阻器和第二电阻器，其中，

所述NMOS开关的栅极，分别与所述继电器的常开触点的第一接线端和所述第一电阻器的第一端连接；

所述NMOS开关的源极，与所述接地端连接；

所述NMOS开关的漏极，分别与所述PMOS开关的栅极和所述第二电阻器的第一端连接；

所述PMOS开关的源极，分别与所述第一电阻器的第二端、所述第二电阻器的第二端和所述系统电源连接；以及

所述PMOS开关的漏极，与所述电机控制模块连接。