[实用新型]基准单元电路、高压电压基准源和可调高压电压基准源

权利要求书

1.一种基准单元电路，其特征在于，包括：晶体管Q1、运算放大器U1、内部信号地F、内部参考电压Vref和外部输入参考端REF、阴极端CATHODE、阳极端ANODE和辅助电源正端VCC；所述晶体管Q1的集电极或漏极在所述单元电路内部开路并连接阴极端CATHODE，晶体管Q1的发射极或源极连接运算放大器U1的负电源端和内部信号地F并连接阳极端ANODE，晶体管Q1的基极或栅极连接运算放大器U1的输出端，运算放大器U1的正电源端连接辅助电源正端VCC，运算放大器U1的同相输入端连接外部输入参考端REF，运算放大器U1的反向输入端和内部信号地F之间连接内部输入参考电压Vref；所述晶体管的集电极或漏极在所述单元电路内部开路。

2.如权利要求1所述的基准单元电路，其特征在于，所述晶体管Q1包括双极三极管、结型场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。

3.如权利要求1所述的基准单元电路，其特征在于，所述运算放大器U1包括轨到轨运算放大器和非轨到轨运算放大器。

4.如权利要求1所述的基准单元电路，其特征在于，所述阳极端ANODE和阴极端CATHODE分别相当于等效齐纳二极管的阳极和阴极。

5.如权利要求1所述的基准单元电路，其特征在于，所述基准单元电路还包括积分电路、滤波电路、分压电路和可编程基准集成电路U2，所述积分电路的第一端连接阳极端ANODE，积分电路的第二端连接到晶体管Q1的基极或栅极，积分电路的第三端连接运算放大器U1的输出端，所述滤波电路的第一端连接内部信号地F，滤波电路的第二端连接运算放大器U1的反向输入端，滤波电路的第三端连接分压电路的第一端，所述分压电路的第一端连接运算放大器U1的反向输入端，所述分压电路的第二端连接可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端，分压电路的第三端连接内部信号地F，可编程基准集成电路U2 的阳极端连接内部信号地F。

6.如权利要求5所述的基准单元电路，其特征在于，所述积分电路包括第一电阻R1和第二电容C2，所述第一电阻R1的两端分别连接第一运算放大器U1的输出端和晶体管Q1的基极或栅极，第二电容C2的两端分别连接阳极端ANODE和晶体管Q1的基极或栅极；

所述滤波电路包括第四电容C4和第五电阻R5，分压电路包括第三电阻R3和第四电阻R4，所述第四电容C4的一端连接运算放大器U1的负电源端，另一端分别连接运算放大器U1的反向输入端和第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端分别连接第三电阻R3的一端和第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接运算放大器U1的负电源端，第三电阻R3的另一端连接可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端。

7.如权利要求6所述的基准单元电路，其特征在于，所述基准单元电路还包括第三电容C3、第二电阻R2和第六电阻R6，第三电容C3的一端和可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端，第三电容的另一端连接运算放大器U1的负电源端，第二电阻R2的一端连接阳极端ANODE，第二电阻R2的另一端连接晶体管Q1的发射极或源极，第六电阻R6的两端分别连接运算放大器U1的正电源端和可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端。

8.如权利要求1所述的基准单元电路，其特征在于，所述辅助电源正端VCC的电压大于可编程基准集成电路U2的参考电压，大于晶体管Q1的发射结正向电压或栅极电压阈值。