[实用新型]一种可变零点补偿的LDO的电路有效

专利信息
申请号: 202023129268.5 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN214623446U 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 刘海军 申请(专利权)人: 芯北电子科技(南京)有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210000 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 可变 零点 补偿 ldo 电路
【权利要求书】:

1.一种可变零点补偿的LDO的电路,包括误差放大器、功率管、电阻R2和电阻R3;其特征在于所述误差放大器的输出端经由频率补偿电路和输出缓冲级连接至所述功率管的栅极;所述功率管的源极和背栅极均与电源电连接,漏极经由串联的电阻R2和电阻R3接地;所述误差放大器的正相输入端接参考电压,反相输入端连接至电阻R2和电阻R3的连接点。

2.根据权利要求1所述的一种可变零点补偿的LDO的电路,其特征在于,误差放大器包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3以及晶体管M4,其中晶体管M1的栅极为误差放大器的同相输入端,接参考电压VREF;晶体管M2的栅极为误差放大器的反相输入端,接反馈电压VFB;晶体管M1和晶体管M2的漏极并接有供电电压;晶体管M3和晶体管M4的栅极并接源极,晶体管M3和晶体管M4的源极并接地。

3.根据权利要求1所述的一种可变零点补偿的LDO的电路,其特征在于频率补偿电路包括晶体管M8、晶体管M6、晶体管M5、电阻R1以及电容C,电阻R1一端连接在晶体管M2的源极和晶体管M4的漏极之间,电阻R1另一端依次连接电容C和晶体管M5的漏极,晶体管M8的栅极并联与晶体管M6的漏极和栅极之间,晶体管M8的漏极接供电电压,通过采样功率管的栅极电压来采样输出电流,晶体管M6为电流镜,晶体管M8输出电流到晶体管M6,通过晶体管M6的栅极电压来调整晶体管M5的导通阻抗。

4.根据权利要求3所述的一种可变零点补偿的LDO的电路,其特征在于功率管为晶体管M10,其中晶体管M10的漏极接供电电压,晶体管M10的栅极与晶体管M8的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的一种可变零点补偿的LDO的电路,其特征在于输出缓冲级包括晶体管M7和晶体管M9,晶体管M7的源极和晶体管M9的漏极连接,并且晶体管M10的栅极与晶体管M8的栅极连接在晶体管M7的源极和晶体管M9的漏极之间,同时晶体管M9的栅极与晶体管M10的栅极连接,晶体管M7的漏极接地,晶体管M7的栅极与电阻R1一端连接,晶体管M9的源极接入供电电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯北电子科技(南京)有限公司,未经芯北电子科技(南京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202023129268.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top