[实用新型]一种高压倒装紫外LED芯片有效
| 申请号： | 202023137227.0 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN214043698U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 薛建凯;崔志勇;郭凯;张向鹏 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/52;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张永辉 |
| 地址： | 047500 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 倒装 紫外 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压倒装紫外LED芯片，其特征在于，包括：衬底，形成在所述LED芯片的底部；发光单元，所述发光单元的数量为多个，设置在所述衬底上，多个所述发光单元相互之间串联设置；增透膜，所述增透膜设置在所述衬底的底部，所述增透膜的厚度为：
d＝(2k+1)λ/4，其中，k为自然数，λ为增透膜中的波长。
2.根据权利要求1所述的一种高压倒装紫外LED芯片，其特征在于，光在增透膜中的折射率为n在的范围内；其中，光在衬底中的折射率为n1，在空气中的折射率为n2。
3.根据权利要求1或2所述的一种高压倒装紫外LED芯片，其特征在于，所述发光单元包括：自下而上依次设置的N型半导体外延材料层、量子阱层和P型半导体外延材料层，以及反射层，设置在所述发光单元的上方。
4.根据权利要求3所述的一种高压倒装紫外LED芯片，其特征在于，所述N型半导体外延材料层为N-AlGaN层，所述P型半导体外延材料层为P-AlGaN层。
5.根据权利要求3所述的一种高压倒装紫外LED芯片，其特征在于，所述反射层上还设置有钝化层。
6.根据权利要求1或2所述的一种高压倒装紫外LED芯片，其特征在于，所述高压倒装紫外LED芯片的发光波长包括深紫外光波段。
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