[实用新型]一种半导体磷化物注入合成系统

权利要求书

1.一种半导体磷化物注入合成系统，包括炉体（40）、设置在炉体（40）上方的屏蔽承载箱（2）、设置在屏蔽承载箱（2）内的磷源承载器（11）、设置在磷源承载器（11）下方的注入管（6）以及配套设置在炉体（40）内底部的坩埚（13），其特征在于：所述屏蔽承载箱（2）借助升降机构（20）在炉体（40）上方空间具有垂直向位移自由度，所述磷源承载器（11）包括磷源承载器主体（11-2）和磷源承载器上盖（11-1）、设置在磷源承载器主体（11-2）内底部的发热体基座（4）、设置在发热体基座（4）上的发热体（12）；在磷源承载器（11）外壁包裹保温层（7），在保温层（7）和屏蔽承载箱（2）内壁之间设置感应线圈（1）。

2.根据权利要求1所述的半导体磷化物注入合成系统，其特征在于：所述磷源承载器上盖（11-1）上设置测压系统，所述测压系统包括与磷源承载器上盖（11-1）焊接的压力平衡管（10-2）、设置在压力平衡管（10-2）内的固体氧化硼柱（17）、带有热电偶a（8）的测压密封帽（10-1）以及设置在压力平衡管（10-2）外壁的辅助加热器（21）；所述测压密封帽（10-1）与压力平衡管（10-2）上端焊接，所述压力平衡管（10-2）下端设置有与磷源承载器（11）连通的进气孔（10-4），在压力平衡管（10-2）上设置有观察刻度尺（10-3），在炉体（40）上端面设置有观察窗a（18）。

3.根据权利要求2所述的半导体磷化物注入合成系统，其特征在于：所述热电偶a（8）的热偶丝与炉体（40）外侧的传感器相连。

4.根据权利要求1所述的半导体磷化物注入合成系统，其特征在于：所述磷源承载器主体（11-2）底部设置有容纳热电偶b（22）的插入槽（11-3）；所述热电偶b（22）呈反“L”型，其上端穿过屏蔽承载箱（2）底部且与插入槽（11-3）配合、左侧穿过炉体（40）炉壁。

5.根据权利要求1所述的半导体磷化物注入合成系统，其特征在于：所述坩埚（13）外壁环绕设置主电阻加热器（15），在炉体（40）中部设置有与坩埚（13）配合的观察窗b（19）。