[实用新型]一种带隙基准源高阶温度补偿电路

权利要求书

1.一种带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述带隙基准源高阶温度补偿电路包括：启动模块，恒流偏置模块，偏置电流平衡模块，偏置电流补偿模块，一阶带隙基准电压产生模块和高阶温度补偿模块；

所述恒流偏置模块产生偏置电流，并将所述偏置电流进行分配，得到第一偏置分配电流、第二偏置分配电流和第三偏置分配电流；

所述启动模块连接于所述恒流偏置模块，用于供电电源上电时，延长所述偏置电流产生的时间；

所述偏置电流平衡模块连接于所述恒流偏置模块，基于所述第一偏置分配电流，产生第一平衡偏置电流和第二平衡偏置电流；

所述偏置电流补偿模块连接于所述恒流偏置模块和所述偏置电流平衡模块的输出端，基于所述第二偏置分配电流和所述第三偏置分配电流产生两个电流，分别补偿所述第一平衡偏置电流和所述第二平衡偏置电流，得到第一补偿偏置电流和第二补偿偏置电流；

所述一阶带隙基准电压产生模块连接于所述偏置电流补偿模块的输出端，基于所述第一补偿偏置电流和所述第二补偿偏置电流，产生一阶带隙基准电压和具有正温度系数的PTAT电压；

所述高阶温度补偿模块连接于所述恒流偏置模块和所述一阶带隙基准电压产生模块的输出端，基于所述PTAT电压产生高阶补偿电压，并与所述一阶带隙基准电压叠加后产生基准电压。

2.根据权利要求1所述的带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述恒流偏置模块包括偏置电流产生模块和分配模块，所述分配模块将所述偏置电流产生模块产生的偏置电流按照预定比例分别分配给所述偏置电流补偿模块和所述偏置电流平衡模块。

3.根据权利要求2所述的带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述偏置电流产生模块包括：第一三极管和第一电阻；

所述第一三极管的发射极通过第一电阻和参考地连接，集电极输出所述偏置电流，基极接收所述一阶带隙基准电压信号。

4.根据权利要求3所述的带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述第一电阻为具有正温度系数的POLY电阻。

5.根据权利要求2所述的带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述分配模块包括：第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管及第四PMOS管；所述第一PMOS管源极和所述供电电源连接，所述第一PMOS管栅极和漏极相连接并接收所述偏置电流；所述第二PMOS管源极，所述第三PMOS管源极及所述第四PMOS管源极均与所述供电电源连接；所述第二PMOS管栅极，所述第三PMOS管栅极及所述第四PMOS管栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第三PMOS管的漏极输出第一偏置分配电流，所述第二PMOS管的漏极输出第二偏置分配电流，所述第四PMOS管的漏极输出第三偏置分配电流。

6.根据权利要求5所述的带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述启动模块包括：第二电阻和第一电容；所述第二电阻的一端与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第二电阻的另一端通过第一电容和参考地连接。

7.根据权利要求6所述的带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述第二电阻为多晶电阻；所述电容第一为MOM电容。