[实用新型]一种环路电阻保护电路有效
| 申请号： | 202023146999.0 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN214380079U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨英振;史家涛;王飞飞;张迪;宁璐平 | 申请（专利权）人： | 潍柴动力股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 藏斌 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 环路 电阻 保护 电路 | ||
1.一种环路电阻保护电路，其特征在于，包括：4-20mA电流传感器、环路电阻R1、环路电阻R2、场效应晶体管MOSFETQ1、驱动电路和控制器MCU；
所述4-20mA电流传感器的一端与电源电压VCC相连，所述4-20mA电流传感器的传感器接口与所述环路电阻R1的一端相连，所述环路电阻R1的另一端与所述场效应晶体管MOSFETQ1的漏极相连；
所述场效应晶体管MOSFETQ1的源极与所述环路电阻R2的一端相连，所述环路电阻R2的另一端接地；
所述场效应晶体管MOSFETQ1的栅极与所述驱动电路的输出端相连，所述驱动电路的输入端与所述控制器MCU的输出端相连，所述控制器MCU的采样端口与所述4-20mA电流传感器的传感器接口相连；
当所述4-20mA电流传感器的开启早于所述场效应晶体管MOSFETQ1的开启时，流经所述环路电阻R2的电流为0，使所述环路电阻R1无环路电流；
当所述4-20mA电流传感器输出的电流大于预设电流阈值时，所述场效应晶体管MOSFETQ1进入线性放大状态，限制流入所述环路电阻R1和所述环路电阻R2的电流。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一锁存器U1和第一限流电阻R3；
所述第一锁存器U1的输入端与所述控制器MCU的输出端相连，所述第一锁存器U1输出端与所述第一限流电阻R3的一端相连；
所述第一限流电阻R3的另一端与所述场效应晶体管MOSFETQ1的栅极相连。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：取反电路和其他可配置电路；
所述取反电路的输入端与所述驱动电路的输入端与所述控制器MCU的输出端相连处相连，所述取反电路的输出端与所述其他可配置电路的输入端相连，所述其他可配置电路的输入端与所述4-20mA电流传感器的传感器接口与所述环路电阻R1的一端相连处相连。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述取反电路包括：第二锁存器U2和反向器；
所述第二锁存器U2的输入端与所述控制器MCU的输出端相连，所述第二锁存器U2的输出端与所述反向器的一端相连；
所述反向器的另一端与所述其他可配置电路的输入端相连；
其中，所述第二锁存器U2的输入端为所述取反电路的输入端，所述反向器的另一端为所述取反电路的输出端。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：第二限流电阻R4；
所述第二限流电阻R4的一端与所述4-20mA电流传感器的传感器接口相连，所述第二限流电阻的另一端与所述控制器MCU的采样端口相连。
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电路还包括分压电阻R5和开关K1；
所述分压电阻R5的一端与所述第二限流电阻R4的另一端与所述控制器MCU的输入端相连处相连，所述分压电阻R5的另一端与所述开关K1的一端相连，其中，所述开关K1的状态为断开状态；
所述开关K1的另一端接地，所述开关K1的另一端与所述第二锁存器U2的输入端相连。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述环路电阻R2可以为所述4-20mA电流传感器的取样电阻。
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