[实用新型]一种TFT膜层防静电结构有效
申请号: | 202023154885.0 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN213483744U | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 于靖;余光棋;张泽鹏;董欣;韦培海;马亮 | 申请(专利权)人: | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 廖苑滨 |
地址: | 620500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tft 膜层防 静电 结构 | ||
本实用新型公开了一种TFT膜层防静电结构,尤其适用于相邻金属层交叠跨接位置静电的预防,包括至少两层金属层,相邻金属层之间设置有绝缘层,相邻金属层在交叠跨接位置还保留有第一透明金属,所述第一透明金属形成于绝缘层上方,且与上层金属层直接接触;相邻金属层因布线需求不可避免的会存在交叠跨接,位于跨接位置的相邻金属层距离变近,绝缘层并不能充分防止相邻金属层静电的产生,本实用新型通过在相邻金属层交叠跨接位置保留第一透明金属,无需增加新工序,制程简便,可有效加大相邻金属层跨接位置的间距,降低静电产生概率,同时第一透明金属与金属层直接接触,可减小膜层阻抗,有助于提升产品显示效果。
技术领域
本实用新型涉及显示屏防静电结构领域,尤其涉及一种TFT膜层防静电结构。
背景技术
在TFT膜层结构中,相邻金属层的位置关系不仅仅局限于常见的平行叠放,根据实际的布线需要,相邻金属层不可避免的会存在跨接交叠,传统TFT膜层结构,位于跨接位置的相邻金属层之间距离较近,此位置的透明金属往往会被蚀刻去除,导致相邻金属层之间仅有绝缘层间隔,而绝缘层结构并不能充分防止相邻金属层静电的产生,尤其是当绝缘层膜质较差时,相邻金属层更是容易产生静电击伤产品,导致TFT产品的稳定性无法的得到有效保证。
实用新型内容
为解决上述相邻金属层跨接位置容易产生静电的问题,本实用新型提出了一种TFT膜层防静电结构,通过在相邻金属层跨接位置保留第一透明金属,在不增加原有工艺步骤的情况下,有效降低相邻金属层静电产生概率,主要通过以下结构实现。
一种TFT膜层防静电结构,包括至少两层金属层,相邻金属层之间设置有绝缘层,相邻金属层在交叠跨接位置还设置有第一透明金属,所述第一透明金属形成于绝缘层上方且与上层金属层接触设置,所述第一透明金属化学性质稳定,具备一定厚度,可加大相邻金属间距,有效降低产品被静电击伤概率,同时其与金属层直接接触设置,可有效减少阻抗。
作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式,具体的,所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层,所述第一金属层位于最低层,其上形成有第一绝缘层。
作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式,在金属层交叠位置,所述第二金属层跨接于第一金属层之上,所述第一透明金属形成于第一绝缘层上方且于第二金属层直接接触设置,可有效降低第二金属层金属的阻抗,提升产品显示效果。
作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式,在金属层交叠位置,所述第一透明金属宽于第二金属层设置,其同样跨接于第一金属层之上,减少两金属层跨接位置被静电击伤概率。
作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式,在金属层平行叠放位置,所述第一透明金属平行叠放于第一绝缘层之上。
作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式,在金属层平行叠放位置,所述第一透明金属的上方还形成有硅岛,所述第二金属层位于硅岛上方,其底面与所述硅岛接触设置。
作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式,在金属层平行叠放位置,所述第二金属层的上方还形成有第二绝缘层,所述第二绝缘层的上方形成有第二透明金属。
有益效果
以上所描述的一种TFT膜层防静电结构,在相邻金属层交叠跨接位置保留第一透明金属,无需增加工艺步骤,制程简便,所述第一透明金属具有一定厚度,可加大跨接位置相邻金属层的间距,有效降低静电产生概率,同时所述第一透明金属与第二金属层直接接触,可降低阻抗,快速疏导电荷的流通,有助于提升产品显示效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本实用新型实施例的限定,在附图中:
图1为本实用新型优选实施方式金属层跨接位置俯视图;
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