[实用新型]一种二维半导体晶体管结构

权利要求书

1.一种二维半导体晶体管结构，其特征在于，包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；所述氧化物介质层为双层介质层，包括介质层I和介质层II，所述叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构，所述介质层II是通过介质层I与底层活泼金属之间的固相扩散反应后形成；其中：

所述衬底为玻璃衬底、蓝宝石衬底、石英衬底、硅衬底或柔性衬底的任一种；

所述介质层I为高介电常数的氧化物介质层：氧化铪、氧化锆、氧化钇、氧化镧、氧化钙、氧化锶、氧化钡或氧化钽的任一种；

所述底层活泼金属栅极为易于氧化的活泼金属：铝、镁、锌、铁或钛的任一种；顶层惰性金属栅极为惰性金属：金、铂、银或铜的任一种。

2. 根据权利要求1所述的二维半导体晶体管结构，其特征在于，所述活泼金属的厚度范围为0.1 nm至5 nm。

3. 根据权利要求1或2所述的二维半导体晶体管结构，其特征在于，所述顶层惰性金属的厚度大于5 nm。

4. 根据权利要求1或2所述的二维半导体晶体管结构，其特征在于，所述介质层II的厚度范围为0.1 nm至5 nm。