[实用新型]探测器有效
申请号: | 202023164750.2 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN213752711U | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 顾铁;金利波;程丙勋 | 申请(专利权)人: | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 沈逸弢 |
地址: | 215400 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探测器 | ||
本申请提供一种探测器,可节省探测器的整机制造成本,降低探测器的整机重量,柔性膜和闪烁体的封装工艺简单,成本低。并且探测器的边框厚度为1‑2mm的范围,能够满足如乳腺探测、兽用探测等各类要求技术高的探测器应用领域。
【技术领域】
本申请涉及屏幕封装技术领域,尤其涉及一种探测器。
【背景技术】
在X射线平板探测器中,闪烁屏耦合是探测器的组装过程中非常关键的一个核心技术,闪烁屏耦合质量的好坏直接决定了探测器的性能高低。闪烁屏耦合指闪烁屏跟传感器紧密贴合在一起。目前针对CsI(碘化铯的化学式)闪烁屏与感光传感器之间的耦合技术主要分为间接耦合技术和直接生长耦合技术。
现有技术的大尺寸CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)探测器,因技术难度或者降低成本,大部分都会采用多片CMOS传感器拼接组成。这种拼接组成的探测器,在直接生长耦合闪烁屏时,因传感器之间的拼接缝会导致闪烁屏龟裂、图像异常及耐候性测试异常等无法解决的问题。因此这种采用多片CMOS传感器拼接组成的探测器主要采用间接耦合的方式。
目前的间接耦合技术存在两种方案,其一为主要结构采用透明的光纤基板结构耦合的方案,其二为主要结构采用非透明基板倒扣耦合的方案。非透明基板主要包括C基(碳基)、Al基(铝基)或者有机柔性基板。
采用非透明基板的方式镀膜的结构中,镀膜基板的硬度稍大,容易变形,用胶贴合效果很差,导致闪烁屏的图像质量不好;基板蒸镀CsI时需要采用透明封装方案,但透明封装方案工艺复杂、费用高,而且容易划伤闪烁体导致闪烁屏失效;基板比CsI闪烁屏尺寸大,导致装配后的整机无法做到2mm以内的窄边框。
采用透明光纤导板的方式的结构中,光纤导板硬度大,将光纤导板与传感器贴合的难度大,贴合胶层容易产生有气泡、厚度不均匀的问题;光纤导板价格昂贵,制作成本高;光纤导板对闪烁体的光有高达30%左右的吸收,且有一定的散射,增大了X射线的剂量,也影响图像质量。
【实用新型内容】
有鉴于此,本申请实施例提供一种探测器,用于解决现有技术中的探测器存在闪烁屏制作成本高、良率差、图像质量不好的技术问题。
第一方面,本申请实施例提供了一种探测器,包括闪烁体组件、柔性膜以及传感器组件,所述柔性膜具有相对的第一表面和第二表面,所述闪烁体组件封装在所述柔性膜的第一表面上,所述传感器组件贴合在所述柔性膜的第二表面上。
通过本实施例提供的方案,闪烁体组件和传感器组件通过柔性膜耦合在一起,由于柔性膜对X射线的高透过率和低吸收,从而减少X射线的剂量,提高了探测器的性能,且柔性膜具有成本低、耦合难度低等优点,使得探测器能够拥有高良率和广泛应用。
在一种优选的实施方案中,所述闪烁体组件包括保护膜和闪烁体,所述闪烁体贴合在所述柔性膜的第一表面上,所述保护膜覆盖在所述闪烁体远离所述柔性膜的表面并将所述闪烁体封装。
通过本实施例提供的方案,采用保护膜将闪烁体封装在保护膜和柔性膜所形成的封闭空间中,防止闪烁体被划伤以及防止水汽侵入闪烁体导致影响图像质量的后果。
在一种优选的实施方案中,所述保护膜具有保护膜中部、保护膜连接部和保护膜侧边,所述保护膜连接部连接所述保护膜中部和所述保护膜侧边,所述柔性膜具有柔性膜中部和多个柔性膜边缘,所述多个柔性膜边缘分别连接在所述柔性膜中部的外周;
所述闪烁体贴合在所述柔性膜中部,所述保护膜的中部贴合在所述闪烁体远离所述柔性膜的表面,所述保护膜的连接部贴合在所述闪烁体的周边,所述保护膜侧边贴合在所述柔性膜边缘;
所述保护膜的表面面积大于所述柔性膜的表面面积,所述柔性膜的表面面积大于所述闪烁体的表面面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的