[实用新型]一种滤波器晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

滤波器晶圆(1)，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有功能区(12)和多个焊垫(13)，所述基板(11)上开设有通孔(111)，所述通孔(111)内设置有Cu连接体(5)，所述Cu连接体(5)与所述焊垫(13)电性连接；

覆盖晶圆(2)，由硅片制成，所述覆盖晶圆(2)通过胶水层(3)粘合于所述基板(11)的上表面，所述覆盖晶圆(2)靠近所述基板(11)的一侧开设有凹槽(21)，所述功能区(12)容纳于所述凹槽(21)内；

微凸焊点(4)，设置在所述基板(11)下侧并与所述Cu连接体(5)连接。

2.如权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述微凸焊点(4)与所述Cu连接体(5)之间设置有球下金属层(6)，所述微凸焊点(4)通过所述球下金属层(6)与所述Cu连接体(5)电性连接。

3.如权利要求2所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述球下金属层(6)包括镀Ni层和镀Au层，所述镀Ni层与所述Cu连接体(5)连接，所述镀Au层设置在所述微凸焊点(4)与所述镀Ni层之间。

4.如权利要求3所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述镀Ni层和所述镀Au层的厚度均为2μm～4μm。

5.如权利要求2所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述微凸焊点(4)为锡球，所述微凸焊点(4)焊接于所述球下金属层(6)。

6.如权利要求1-5任一项所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述通孔(111)依次通过光刻工艺和干法刻蚀工艺成型；或所述通孔(111)采用激光烧蚀方法成型。

7.如权利要求1-5任一项所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述凹槽(21)依次通过光刻工艺和干法刻蚀工艺成型；或所述凹槽(21)采用激光烧蚀方法成型。

8.如权利要求1-5任一项所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述Cu连接体(5)通过电镀的方式成型于所述通孔(111)内。

9.如权利要求1-5任一项所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述基板(11)的厚度为20μm～300μm；和/或所述覆盖晶圆(2)的厚度为10μm～500μm。

10.如权利要求1-5任一项所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述胶水层(3)的厚度为0.1μm～100μm；和/或所述凹槽(21)的深度为5μm-100μm。