[实用新型]一种宽频带GaN微波功率放大器电路

说明书

本实用新型涉及功率放大器电路技术领域，具体为一种宽频带GaN微波功率放大器电路，包括的RC网络、芯片输入输出匹配电路、反馈电路以及供电电路，芯片输入端L型匹配电路为串联电感L3再并联电容C2的L型匹配电路，芯片输出端L型匹配电路为串联电感L4再并联电容C3的L型匹配电路，反馈电路包含一个LRC反馈网络，反馈电路包括反馈电阻R1，反馈电阻R1的一端通过电容C1串联有电感L5，电感L5与电容C2串联，反馈电阻R1的另一端串联有电感L6，电感L6与电容C3串联。本实用新型采用L型匹配技术，从而实现对射频的放大技术，在有限的器件内部空间内增加带宽，降低功率放大器的成本，减少器件的空间。

技术领域

本实用新型涉及一种放大器电路，特别是涉及一种宽频带GaN微波功率放大器电路，属于功率放大器电路技术领域。

背景技术

GaN微波功率器件有着功率密度高、效率高、工作频率更高等特点，在军品和民品市场方面，相比于其他工艺的产品具有较大的优势，因此得到了广泛应用。目前由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封装管壳进行器件封装，器件内部空间有限，这使得器件的带宽有了一定局限性，一般要想增加带宽，都会在管壳外用微带线使用阻抗变换，或者是直接使用集成芯片MMIC，但是这样就增加了器件的成本或者是增加了使用的空间。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种宽频带GaN微波功率放大器电路，采用L型匹配技术，从而实现对射频的放大技术，在有限的器件内部空间内增加带宽，降低功率放大器的成本，减少器件的空间。

为了达到上述目的，本实用新型采用的主要技术方案包括：

一种宽频带GaN微波功率放大器电路，包括集成在封装管壳内部的RC网络、芯片输入输出匹配电路、反馈电路以及供电电路，所述RC网络和所述芯片输入输出匹配电路均与所述供电电路电性连接，所述反馈电路与所述芯片输入输出匹配电路电性连接，所述芯片输入输出匹配电路包括芯片输入端L型匹配电路和芯片输出端L型匹配电路，所述芯片输入端L型匹配电路为串联电感L3再并联电容C2的L型匹配电路，所述芯片输出端L型匹配电路为串联电感L4再并联电容C3的L型匹配电路，所述反馈电路包含一个LRC反馈网络，所述反馈电路包括反馈电阻R1，所述反馈电阻R1的一端通过电容C1串联有电感L5，所述电感L5与所述电容C2串联，所述反馈电阻R1的另一端串联有电感L6，所述电感L6与所述电容C3串联。

优选的，所述RC网络包括电容C0、电感L0以及电阻R0，所述电容C0与所述电阻R0并联，所述电感L0与所述电阻R0串联，所述电容C0与所述电容C1串联。

优选的，所述供电电路包括大电感L1、大电感L2、大电容C4以及大电容C5，所述大电感L2和所述大电容C4串联，所述大电容C4与所述电阻R0串联，所述大电感L1与所述大电容C5串联，所述大电容C5与电阻R1串联。

优选的，所述LRC反馈网络上设有反馈环，所述反馈环上设有元件。

优选的，所述供电电路串联所述大电感L1或大电感L2形成偏置电路，所述供电电路再并联所述大电容C4或大电容C5形成滤波电路。

优选的，所述串联电感L3和所述串联电感L4均为键合金丝形成的电感。

优选的，所述芯片输入输出匹配电路的输入端和输出端均连接有隔直电容。

本实用新型至少具备以下有益效果：