[实用新型]一种功率模块

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于，包括上功率模块以及下功率模块；

所述上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；

所述覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、源极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板以及漏极覆铜陶瓷基板；所述漏极覆铜陶瓷基板和所述源极覆铜陶瓷基板叠层放置；

所述信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、源极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域以及漏极信号汇集区域；所述栅极信号汇集区域设在所述栅极覆铜陶瓷基板的覆铜上；所述源极信号汇集区域设在所述源极覆铜陶瓷基板的覆铜上；所述辅助源极信号汇集区域设在所述辅助源极覆铜陶瓷基板的覆铜上；所述漏极信号汇集区域设在所述漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；

所述芯片并联单元包括碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET芯片并联组；所述MOSFET芯片并联组为三个并联连接且相互平行的MOSFET芯片；所述MOSFET芯片并联组设在所述漏极覆铜陶瓷基板上；所述MOSFET芯片并联组的栅极通过键合线与所述栅极信号汇集区域相连接；所述MOSFET芯片并联组的源极通过键合线与所述源极信号汇集区域相连接；所述MOSFET芯片并联组的辅助源极通过键合线与所述辅助源极信号汇集区域相连接；所述MOSFET芯片并联组的漏极设在所述漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；

所述上功率模块和所述下功率模块的结构相同；所述上功率模块的源极信号汇集区域与所述下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述芯片并联单元还包括：碳化硅二极管芯片并联组；所述二极管芯片并联组为三个并联连接且相互平行的碳化硅二极管芯片；所述二极管芯片并联组设在所述漏极覆铜陶瓷基板上；所述二极管芯片并联组的阳极通过键合线与所述MOSFET芯片并联组的源极相连接，所述二极管芯片并联组的阳极通过键合线与所述源极信号汇集区域相连接，所述二极管芯片并联组的阴极设在所述漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，还包括：信号端子单元；所述信号端子单元为扁平化结构；

所述信号端子单元包括栅极驱动信号端子、源极功率信号端子、辅助源极驱动信号端子以及漏极功率信号端子；所述栅极驱动信号端子与所述栅极信号汇集区域相连接；所述源极功率信号端子与所述源极信号汇集区域相连接；所述辅助源极驱动信号端子与所述辅助源极信号汇集区域相连接；所述漏极功率信号端子与所述漏极信号汇集区域相连接。

4.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于，所述三个并联连接且相互平行的MOSFET芯片之间的间隔相等。

5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述三个并联连接且相互平行的二极管芯片之间的间隔相等。