[实用新型]一种S波段混合集成电路

说明书

本实用新型涉及电路技术领域，具体为一种S波段混合集成电路，包括封装管壳，封装管壳的内部设置有两级放大电路，封装管壳上设置有栅极供电端、信号输入端引脚、信号输出端引脚和漏极供电端，两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，前级放大电路包括前级4瓦GaN芯片以及输入两级匹配电路，后级放大电路包括后级24瓦GaN芯片以及输入输出两级匹配电路。本实用新型中器件为50欧姆匹配，方便使用，利用有限空间完成两级GaN芯片匹配，同时使用贴片电容和金丝便于调试；内部集成偏置电路使得器件贴装更方便，滤波电容和隔直电容让器件性能更加稳定，最终实现一种S波段微小密集型、高增益以及较高效率的混合集成放大器电路。

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路，特别是涉及一种S波段混合集成电路，属于电路技术领域。

背景技术

GaN微波功率器件有着功率密度高，效率高，工作频率更高等特点，在军品和民品市场方面，相比于其他工艺的产品具有较大的优势，因此得到了广泛应用，目前由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封装管壳进行器件封装，由于器件内部空间有限，同时又需要放入GaN芯片、偏置电路、匹配电路、滤波电容等多种元器件，这就使器件的增益有了一定局限性，在这样的条件下，要实现微小密集型、高增益以及较高效率的微波链路功率放大器就比较困难。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种S波段混合集成电路，本实用新型中器件为50欧姆匹配，方便使用；器件外形尺寸小，利用有限空间完成两级GaN芯片匹配，同时使用贴片电容和金丝便于调试；内部集成两级馈电电路的偏置电路使得器件贴装更方便，集成一体化有利于提高效率；滤波电容和隔直电容让器件性能更加稳定，最终实现一种S波段微小密集型、高增益以及较高效率的混合集成放大器电路。

为了达到上述目的，本实用新型采用的主要技术方案包括：

一种S波段混合集成电路，包括封装管壳，所述封装管壳的内部设置有两级放大电路，所述封装管壳上设置有与所述两级放大电路连接的栅极供电端、信号输入端引脚、信号输出端引脚和漏极供电端，所述栅极供电端通过微带线与所述两级放大电路电性连接，所述信号输出端引脚通过微带线与所述两级放大电路电性连接；

所述两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，所述前级放大电路包括前级4瓦GaN芯片以及输入两级匹配电路，所述输入两级匹配电路包括串联电感以及第一匹配电容，所述串联电感和所述第一匹配电容串联；

所述后级放大电路包括后级24瓦GaN芯片以及输入输出两级匹配电路，所述输入输出两级匹配电路包括串联电感、绕圈贴片电感、第二匹配电容以及第三匹配电容，所述串联电感、所述绕圈贴片电感、所述第二匹配电容和所述第三匹配电容串联；

通过上述技术方案，本实用新型中器件为50欧姆匹配，方便使用；器件外形尺寸小，利用有限空间完成两级GaN芯片匹配，同时使用贴片电容和金丝便于调试；内部集成两级馈电电路的偏置电路使得器件贴装更方便，集成一体化有利于提高效率；滤波电容和隔直电容让器件性能更加稳定，最终实现一种S波段微小密集型、高增益以及较高效率的混合集成放大器电路。

优选的，所述封装管壳的内部设置有偏置电路，所述偏置电路包括偏置电路输入端、第三偏置电容、第四偏置电容、第五偏置电容以及偏置电路输出端，所述偏置电路输入端与所述信号输入端引脚连接。

优选的，所述偏置电路还包括第一四分之一波长线、第二四分之一波长线、第三四分之一波长线以及第四四分之一波长线。

优选的，所述偏置电路并联有第一偏置电容和第二偏置电容，所述前级4瓦GaN芯片和所述后级24瓦GaN芯片的输入端和输出端均连接有隔直电容。

优选的，所述前级4瓦GaN芯片和所述后级24瓦GaN芯片均为L型匹配电路。