[实用新型]一种可实现多种颜色的薄膜太阳能电池用前电极有效
申请号: | 202023177530.3 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN213845285U | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 姚婷婷;李刚;王天齐;沈洪雪;杨扬;彭赛奥;金克武;徐佳馨;甘治平 | 申请(专利权)人: | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 多种 颜色 薄膜 太阳能电池 电极 | ||
本实用新型公开一种可实现多种颜色的薄膜太阳能电池用前电极,包括玻璃基底s,其特征在于,所述窗口层依次由TCO透明导电膜F1、界面膜F2层、金属透明导电膜F3层、界面膜F4层、TCO透明导电膜F5的复合叠加组成。制备方法:1、以高阻层为起点;2、采用磁控溅射工艺,高阻层顶面沉积TCO透明导电膜F1;3、在F1层顶面沉积界面膜F2层;4、在F2层顶面沉积金属透明导电膜F3层;5、在F3层顶面沉积界面膜F4层;6、在F4层顶面沉积TCO透明导电膜F5。得到彩色薄膜太阳能电池用前电极,使得电池结构本身即可实现携带颜色,同时保障薄膜太阳能电池的整体结构及性能。
技术领域
本实用新型涉及薄膜太阳能电池技术领域,具体是可实现多种颜色的薄膜太阳能电池用前电极。
背景技术
薄膜太阳能电池以优异的综合发电效率、易与建筑结合等优点,成为国际上公认的最有前途的太阳电池之一。
随着近年来光伏产业链成本的快速降低使得光伏产业从光伏电站走向了BIPV、新能源汽车、户用发电、智慧农业、电子产品等领域,全新的能源与其他产业相结合呈现出强大的优势与发展潜力,光伏行业由政策依赖走向无补贴时代,自发性市场需求的崛起将打开光伏产业发展的广阔空间。
传统只有单一的黑色,安装彩色的BIPV不仅能够解决节能减排的难题,更能提升建筑的外在形象,使之更符合商业建筑美学审美,新能源汽车、户用发电、智慧农业、电子产品等领域也需要光伏产品具有多样性,使其对提升企业的整体品牌形象更有特色。因此,多种颜色的高转换率太阳能组件成为市场的需求。
现阶段,彩色的安装都主要为薄膜太阳能电池与玻璃结合后的本色,市场存在的彩色的BIPV均是在薄膜太阳能电池盖板内部或者外部附加单层或多层的彩色功能层、或者采用化学着色方法,明显增加了制作步骤,提高了成本,且损失电池的光电转换效率;本实用新型将赋予薄膜太阳能电池本身前电极结构层具有色彩,同时保障薄膜太阳能电池的整体性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可实现多种颜色的薄膜太阳能电池用前电极,其本身即可实现携带颜色,颜色易于调节,并可实现多种颜色,同时保障薄膜太阳能电池的整体结构及性能。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种可实现多种颜色的薄膜太阳能电池用前电极,包括玻璃基板,其特征在于,其特征在于,玻璃基板上依次由制有TCO透明导电膜F1、界面膜F2层、金属透明导电膜F3层、界面膜F4层、TCO透明导电膜F5的复合叠加层。
进一步的,TCO透明导电膜F1层和TCO透明导电膜F5层的厚度为20~70nm;
进一步的,界面膜F2层和界面膜F4层的厚度为1~5nm。
进一步的,金属透明导电膜F3层的厚度为3~25nm。
本发明技术方案中的各个薄层均可以采用现有的磁控溅射工艺制作。
本实用新型的上述技术方案的机理如下:
1、根据薄膜干涉理论,当膜的厚度等于入射光在该媒质中波长的1/4时,在薄膜两个面上反射光的光程恰好等于半个波长,从而相互干涉而抵消,这就大大减少了光的反射损失,增强了透射光的强度,起到了增透作用。选择合适的薄膜折射率n和厚度d值,就可以起到很好的增透作用。因此,利用金属膜的高导电性和透明膜的增透作用,纳米多层膜中的每层各自发挥其优势。因此,TCO透明导电膜F1层+金属透明导电膜F3层+TCO透明导电膜F5层的结构电学性能优异,同时具有增透作用,透光率较高。
2、由于不同成分的TCO透明导电膜F1、F5层,折射率不同,与不同成分的金属透明导电膜F3层结合,多层干涉堆叠改变了复合薄膜的反射光谱,使得电池可以呈现多种彩色外观。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的