[实用新型]一种提升封装能力的OLED结构

权利要求书

1.一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。

2.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1-10μm，凹陷部深度为1-10μm。

3.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述阳极厚度为50-300 nm。

4.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述阴极为金属层或金属合金层，厚度为10-150 nm，所述阴极透光率不低于90%。

5.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述复合有机层包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合有机层的厚度为100-400 nm。

6.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述封装层为复合封装层，其厚度为100-1630 nm。

7.根据权利要求6所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述复合封装层包括有金属氧化物封装层和无机硅化物封装层，所述金属氧化物封装层的厚度为20-130nm，所述无机硅化物封装层厚度为80-1500 nm。

8.根据权利要求7所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述金属氧化物封装层为多层，所述无机硅化物封装层为一层。