[实用新型]一种5G双极化辐射单元

权利要求书

1.一种5G双极化辐射单元，包括辐射体，其特征在于，所述辐射体包括介质基板以及设置到所述介质基板正面的呈正负45度极化正交设置的第一振子和第二振子，所述第一振子包括呈相对设置的第一振子臂和第二振子臂，所述第二振子包括呈相对设置的第三振子臂和第四振子臂；所述第一振子臂和第二振子臂之间设有第一带状馈电线，所述第一带状馈电线设置到所述介质基板的正面，所述第一带状馈电线的一端与所述第二振子臂连接，另一端伸入到所述第一振子臂的第一凹槽内以实现与所述第一振子臂耦合连接，从而可实现所述第一振子臂和第二振子臂之间的电连接；所述第三振子臂和第四振子臂之间设有第二带状馈电线，所述第二带状馈电线设置到所述介质基板的正面，所述第二带状馈电线具有空位，所述第一带状馈电线穿设在所述空位中并与第二带状馈电线不接触，所述第二带状馈电线的一端与所述第四振子臂连接，另一端伸入到所述第三振子臂的第二凹槽内以实现与所述第三振子臂耦合连接，从而可实现所述第三振子臂和第四振子臂之间的电连接。

2.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，所述5G双极化辐射单元的工作频段为3300～3800MHz。

3.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，相邻的两个振子臂之间具有空隙，所述空隙的宽度为0.5-1.0毫米。

4.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，每个振子臂分别设有镂空区，所述介质基板的正面在对应每个振子臂的镂空区的位置处分别设有通孔。

5.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，所述介质基板的背面设有第三带状馈电线，所述第三带状馈电线与所述第二带状馈电线的空位对应，所述第三带状馈电线的两端和所述第二带状馈电线之间分别通过第一金属化过孔连接。

6.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，所述介质基板的背面在对应每个振子臂靠近相邻振子臂的一侧分别设有第一铜层，每个振子臂靠近相邻振子臂的一侧与对应的第一铜层之间通过若干第二金属化过孔连接。

7.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，所述介质基板呈方形，所述第一振子臂和第二振子臂位于所述介质基板的其中一条对角线上，所述第三振子臂和第四振子臂位于所述介质基板的另外一条对角线上；所述介质基板的背面在其四周分别设有第二铜层，每个第二铜层分别对应两个相邻的振子臂，并与该两个相邻的振子臂耦合连接。

8.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，所述第一带状馈电线与所述第二振子臂为一体成型，所述第二带状馈电线与所述第四振子臂为一体成型；所述介质基板的背面设有第三金属化过孔和第四金属化过孔，所述第三金属化过孔延伸至所述第一带状馈电线的伸入所述第一凹槽的一端，所述第四金属化过孔延伸至所述第二带状馈电线的伸入所述第二凹槽的一端，所述第三金属化过孔和第四金属化过孔分别用于焊接两根电缆的内导体。

9.根据权利要求1所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，还包括支撑座，所述支撑座包括支撑座本体以及设置到所述支撑座本体顶部的第一支撑件、第二支撑件、两个第三支撑件，所述第一支撑件和第二支撑件的顶部分别设有第一支撑柱、第二支撑柱，所述介质基板的背面在对应所述第一支撑柱和第二支撑柱的位置分别设有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘设有第五金属化过孔，所述第五金属化过孔延伸至所述第二振子臂，所述第一支撑柱穿设并焊接到所述第五金属化过孔中，所述第二焊盘设有第六金属化过孔，所述第六金属化过孔延伸至所述第四振子臂，所述第二支撑柱穿设并焊接到所述第六金属化过孔中，所述两个第三支撑件分别具有安装孔，所述安装孔延伸至所述支撑座本体的底部，所述两个第三支撑件的安装孔分别用于焊接两根电缆的外导体。

10.根据权利要求9所述的5G双极化辐射单元，其特征在于，与所述第二振子臂对应的两个第一铜层分别与所述第一焊盘的两端连接，与所述第四振子臂对应的两个第一铜层分别与所述第二焊盘的两端连接。