[实用新型]一种射频芯片ESD防护电路

说明书

本实用新型公开了射频芯片ESD防护电路，包括耐压电路单元和接地回路单元，接地回路单元与耐压电路单元连接；所述耐压电路单元设置在射频芯片的内部，且与射频芯片的内部射频输入输出端口连接；所述接地回路单元设置在射频芯片的内部，且与射频芯片的内部射频输入输出端口连接等；本实用新型在达到ESD防护效果的同时，不额外增加孤立的ESD防护单元，整体上减小芯片尺寸。

技术领域

本实用新型涉及芯片静电防护技术领域，具体涉及射频芯片ESD防护电路。

背景技术

ESD防护性能对于电子元器件是一项非常重要的性能。在元器件的使用，装配，调试及运输过程中，都会出现因静电而导致的产品失效。所以在电子元器件设计的过程中，需要在核心电路之外，为其加上射频芯片ESD防护电路，以达到元器件更高的可靠性。

现有的射频芯片ESD防护电路方案中，主要用于芯片的供电端口。常规的方案是通过串联二极管到地，实现ESD的防护功能。但该方案用在射频输入输出端口时不适用，其会对芯片性能有较大的影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供射频芯片ESD防护电路，在达到ESD防护效果的同时，不额外增加孤立的ESD防护单元，整体上减小芯片尺寸。

本实用新型的目的是通过以下方案实现的：

射频芯片ESD防护电路，包括耐压电路单元和接地回路单元，接地回路单元与耐压电路单元连接；所述耐压电路单元设置在射频芯片的内部，且与射频芯片的内部射频输入输出端口连接；所述接地回路单元设置在射频芯片的内部，且与射频芯片的内部射频输入输出端口连接。

进一步地，所述耐压电路单元包括电容，电容的一端与射频芯片的内部射频输入输出端口连接，电容的另一端与接地回路单元连接。

进一步地，该电容包括隔直电容或串接电容。

进一步地，该电容为串接电容时，数量至少两个。

进一步地，所述接地回路单元包括电感或者电阻。

进一步地，所述接地回路单元为电感时，电感的一端与电容的另一端连接，电感的另一端接地；所述接地回路单元为电阻时，电阻的一端与电容的另一端连接，电阻的另一端接地。

本实用新型的有益效果：

(1)本实用新型的技术方案是在射频端口，给瞬时高电压提供到地回路，以及提高芯片内部本身的耐压值两个方面。将ESD防护电路与芯片内部电路进行协同设计，在达到ESD防护效果的同时，不额外增加孤立的ESD防护单元，整体上减小芯片尺寸。

附图说明

下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有射频芯片的射频输入输出端的结构示意图；

图2为本实用新型连接有接地回路单元的结构示意图；

图3为本实用新型连接有耐压电路单元的结构示意图；

图4为本实用新型连接有耐压电路单元、接地回路单元的结构示意图。

具体实施方式

本说明书中所有实施例公开的所有特征，或隐含公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合或替换。

如图1～4所示，射频芯片ESD防护电路，包括耐压电路单元和接地回路单元，接地回路单元与耐压电路单元连接；所述耐压电路单元设置在射频芯片的内部，且与射频芯片的内部射频输入输出端口连接；所述接地回路单元设置在射频芯片的内部，且与射频芯片的内部射频输入输出端口连接。