[实用新型]半导体工艺设备有效
申请号: | 202023196772.7 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN213781997U | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 胡天保;曹兴龙 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C14/54;C23C16/52 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
1.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括工艺腔室、第一压力侦测器及第二压力侦测器,所述第一压力侦测器及第二压力侦测器均通过压力侦测管路与所述工艺腔室相连接,用于侦测所述工艺腔室内的压力,所述第一压力侦测器及第二压力侦测器具有不同的侦测量程;其中,所述压力侦测管路包括水平管路和竖直管路,所述水平管路一端与所述工艺腔室水平相连接,另一端与所述竖直管路垂直相连接,所述竖直管路竖直向上延伸,所述第一压力侦测器及第二压力侦测器与所述竖直管路相连通。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述水平管路为1个且竖直管路为2个,2个竖直管路平行间隔设置且均与所述水平管路垂直相连接,所述第一压力侦测器和第二压力侦测器与所述2个竖直管路分别相连通。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述水平管路和竖直管路均为2个且一一对应连接,所述第一压力侦测器和第二压力侦测器与所述2个竖直管路分别相连通。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述水平管路与所述工艺腔室的连接点的高度大于所述工艺腔室高度的二分之一。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括报警装置,与所述第一压力侦测器和/或所述第二压力侦测器相连接,以在侦测到所述工艺腔室内的压力异常时发出报警信息。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述压力侦测管路上设置有控制阀。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述工艺腔室包括物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室和干法刻蚀腔室中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述水平管路和所述竖直管路的连接面为弧形面。
9.根据权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述第一压力侦测器和第二压力侦测器的底面高于所述工艺腔室的顶面。
10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述第一压力侦测器为高压侦测器,侦测量程包括0-760torr;所述第二压力侦测器为低压侦测器,侦测量程包括5-100mtorr。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造