[实用新型]一种吸盘有效
| 申请号： | 202023202985.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN214099614U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨博光;张记晨;姚殿奎;蔡晨;冒鹏飞 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 吸盘 | ||
1.一种吸盘，用于吸附基底，其特征在于，包括：
吸盘本体，所述吸盘本体包括吸附区域和围绕所述吸附区域的环形沉槽，所述吸附区域的直径小于待吸附基底的直径，所述环形沉槽的外径大于待吸附基底的直径。
2.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述待吸附基底的直径A，所述环形沉槽的外径B，所述吸附区域的直径C满足：5mm≤(B-A)/2≤10mm，5mm≤(A-C)/2≤10mm。
3.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述吸盘本体包括多个间隔分布的所述环形沉槽，各所述环形沉槽沿所述吸盘本体的周向布置，且多个所述环形沉槽围绕的区域分别为不同尺寸的待吸附基底的吸附区域。
4.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述吸盘还包括消光层，所述消光层至少覆盖所述环形沉槽的底部，且所述消光层的厚度小于所述环形沉槽的深度。
5.如权利要求4所述的吸盘，其特征在于，所述消光层为消光涂层。
6.如权利要求5所述的吸盘，其特征在于，所述环形沉槽的内表面为氧化面或粗糙面。
7.如权利要求6所述的吸盘，其特征在于，所述粗糙面的粗糙度大于Ra12.5。
8.如权利要求5所述的吸盘，其特征在于，所述消光涂层的厚度的范围为50μm～60μm。
9.如权利要求4所述的吸盘，其特征在于，所述消光层和所述吸盘本体可拆卸连接。
10.如权利要求9所述的吸盘，其特征在于，所述消光层通过紧固螺钉固定在所述环形沉槽内或粘接在所述环形沉槽内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
