[实用新型]麦克风以及电子设备

说明书

本实用新型公开一种麦克风和电子设备。其中，麦克风包括背极板和振膜；背极板包括板体和设于板体一表面的导电层，导电层包括间隔设置的第一导电区域和第二导电区域；振膜与板体间隔设置，并与导电层相对设置；第一导电区域与振膜形成第一电容结构，第二导电区域与振膜形成第二电容结构，所述第一电容结构和所述第二电容结构的电容变化率不同。本实用新型技术方案麦克风中，第一电容结构与第二电容结构的电容量不同，两者的电容变化率不同，以能够达到不同的灵敏度，进而两者的声音检测范围不同，从而达到扩大麦克风动态范围的目的。

技术领域

本实用新型涉及麦克风技术领域，特别涉及一种麦克风以及电子设备。

背景技术

随着科技的发展，微电机技术已经逐渐融入至麦克风的生产领域中，实现了各种传感器的微型化和低成本化，并且在智能终端设备中已经广泛使用。

麦克风的主要声学性能指标包括灵敏度，本底噪声和AOP(Acoustic OverloadPoint，指MIC的最大录音声压)。其中本底噪声决定着麦克风声音检测的下限，AOP决定着声音检测的上限，上下限的差值即为麦克风的动态范围。动态范围越大意味着麦克风可检测的声音范围越广，可应用的场景也就越多。而现有的麦克风的动态范围较小，可检测的声音范围较小。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种麦克风，旨在扩大麦克风的动态范围。

为实现上述目的，本实用新型提出的麦克风，包括背极板和振膜；所述背极板包括板体和设于所述板体一表面的导电层，所述导电层包括间隔设置的第一导电区域和第二导电区域；所述振膜与所述板体间隔设置，并与所述导电层相对设置；所述第一导电区域与所述振膜形成第一电容结构，所述第二导电区域与所述振膜形成第二电容结构，其中，所述第一电容结构和所述第二电容结构的电容变化率不同。

在本实用新型一实施例中，所述麦克风还包括支撑件，所述支撑件连接所述板体与所述振膜，所述支撑件位于所述第一导电区域与所述第二导电区域之间。

在本实用新型一实施例中，所述支撑件呈圆环状设置，所述第一导电区域位于所述支撑件的圆环结构内，所述第二导电区域位于所述支撑件的圆环结构外。

在本实用新型一实施例中，所述第一导电区域为圆形结构。

在本实用新型一实施例中，所述第二导电区域为环形结构。

在本实用新型一实施例中，所述支撑件包括多个连接段，所述多个连接段间隔设置以形成环状结构。

在本实用新型一实施例中，所述第一导电区域的面积与所述第二导电区域的面积相同或不同。

在本实用新型一实施例中，所述板体的相背对的两个表面均设有所述导电层；所述麦克风包括两个所述振膜，两个所述振膜分别设于所述板体的相对两侧，以分别与相应的所述导电层间隔相对设置。

在本实用新型一实施例中，所述麦克风还包括中心有空腔的衬底，所述背极板固定安装于所述衬底，所述振膜设于所述空腔内。

在本实用新型一实施例中，所述背极板呈圆形设置。

在本实用新型一实施例中，所述振膜呈圆形设置。

为实现上述目的，本实用新型还提供一种电子设备，包括上述的麦克风；该麦克风包括背极板和振膜；所述背极板包括板体和设于所述板体一表面的导电层，所述导电层包括间隔设置的第一导电区域和第二导电区域；所述振膜与所述板体间隔设置，并与所述导电层相对设置；所述第一导电区域与所述振膜形成第一电容结构，所述第二导电区域与所述振膜形成第二电容结构，其中，所述第一电容结构和所述第二电容结构的电容变化率不同。