[实用新型]一种大功率稳压二极管有效

专利信息
申请号: 202023205504.7 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN213988894U 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 吴佩玉 申请(专利权)人: 深圳市芯电易科技股份有限公司
主分类号: H01L29/866 分类号: H01L29/866;H01L23/552;H01L23/31;H01L23/64
代理公司: 深圳市世通专利代理事务所(普通合伙) 44475 代理人: 刘付靖
地址: 518000 广东省深圳市龙华区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 稳压二极管
【说明书】:

实用新型公开了一种大功率稳压二极管,包括绝缘外壳,绝缘外壳的一端设置有两个阴极导电片,绝缘外壳的另一端设置有两个阳极导电片,绝缘外壳的内部一侧设置有P连接片,绝缘外壳的内部另一侧设置有N连接片,P连接片和N连接片的相对侧设置有绝缘薄隔片,P连接片与阳极导电片固定焊接,N连接片与阴极导电片固定焊接,一级电阻设置在绝缘外壳的内部一侧,二级电阻设置在绝缘外壳的内部位于一级电阻的一侧。本实用新型解决了在稳压二极管针对较大功率类电气使用功能过程中,稳压二极管可能由于电流过大造成烧坏或击穿的情况,从而甚至产生情况的问题,提高了稳压二极管在大功率条件下使用的稳定性,提高了稳压二极管的安全性能。

技术领域

本实用新型涉及一种二极管领域,具体为一种大功率稳压二极管。

背景技术

稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。

目前,在稳压二极管使用过程中,在针对较大功率类电气使用功能过程中,稳压二极管可能由于电流过大造成烧坏或击穿的情况,从而甚至产生情况。因此我们对此做出改进,提出一种大功率稳压二极管。

实用新型内容

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:

本实用新型一种大功率稳压二极管,包括:

绝缘外壳,所述绝缘外壳的一端设置有两个阴极导电片,所述绝缘外壳的另一端设置有两个阳极导电片,所述绝缘外壳的内部一侧设置有P连接片,所述绝缘外壳的内部另一侧设置有N连接片,所述P连接片和N连接片的相对侧设置有绝缘薄隔片,所述P连接片与阳极导电片固定焊接,所述N连接片与阴极导电片固定焊接;

一级电阻,所述一级电阻设置在绝缘外壳的内部一侧,所述一级电阻的一端与P连接片固定焊接,所述一级电阻的另一端与N连接片固定连接;

二级电阻,所述二级电阻设置在绝缘外壳的内部位于一级电阻的一侧。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述二级电阻的一端设置有两个击穿接头,两个所述击穿接头的间距为1-3mm。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述绝缘外壳的内壁固定连接有一屏蔽网,所述绝缘外壳的底端设置有无痕胶,所述无痕胶远离绝缘外壳的一侧设置有离型纸。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述屏蔽网远离绝缘外壳的一侧设置有防钝化层,所述防钝化层远离屏蔽网的一侧设置有防钝化膜。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述防钝化层远离屏蔽网的一侧设置有防击穿层,所述防击穿层远离防钝化层的一侧设置有内绝缘层,所述内绝缘层与绝缘薄隔片固定连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述阴极导电片和阳极导电片的外侧均包裹有防氧化保护套,所述防氧化保护套采用透明塑料材料制成。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述阳极导电片的外侧设置有荧光标记,绝缘外壳的顶端设置电流指示线。

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