[实用新型]一种任意衬底上单晶AlN薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种任意衬底上的单晶AlN薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底、硅腔、单晶二维材料、Al缓冲层、第一金属电极、压电层及第二金属电极；所述衬底与单晶二维材料连接，衬底与单晶二维材料的连接面向衬底内凹陷形成硅腔；Al缓冲层沉积在所述单晶二维材料上，第一金属电极生长在Al缓冲层上；压电层与第一金属电极、单晶二维材料连接；第二金属电极沉积在压电层上。

2.根据权利要求1所述的任意衬底上的单晶AlN薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述单晶二维材料的厚度为0.1nm-1μm；所述单晶二维材料包括石墨烯、六方氮化硼中的一种。

3.根据权利要求1所述的任意衬底上的单晶AlN薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述Al缓冲层的厚度为50nm-1500nm。

4.根据权利要求1所述的任意衬底上的单晶AlN薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、玻璃中的一种。

5.根据权利要求1所述的任意衬底上的单晶AlN薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一金属电极为钼、金、钌、铝中的一种；所述第一金属电极的厚度为50nm-1500nm。

6.根据权利要求1所述的任意衬底上的单晶AlN薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层为单晶AlN压电材料；所述压电层的厚度为10nm-5μm。

7.根据权利要求1所述的任意衬底上的单晶AlN薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二金属电极为钼、金、钌、铝中的一种；所述第二金属电极的厚度为50nm-1500nm。