[实用新型]高可靠性封装后修调标识电路

权利要求书

1.一种高可靠性封装后修调标识电路，包括比较器U3以及与所述比较器U3适配连接的熔断器fuse，其中，比较器U3的第一输入端与熔断器fuse第一端以及烧断电压VDD_FIRE连接，比较器U3的第二输入端与熔断器fuse的第二端连接；其特征是：还包括比较器U3的第二输入端、熔断器fuse第二端适配连接的开关管以及电流增大电路；

所述开关管包括NMOS管MN1，NMOS管MN1的漏极端与熔断器fuse的第二端以及比较器U3的第二输入端连接，NMOS管MN1的衬底以及源极端接地，NMOS管MN1的栅极端与驱动控制电路的输出端，且电流增大电路能接收驱动控制电路加载到NMOS管MN1栅极端的驱动电压，驱动控制电路驱动NMOS管MN1导通时，通过电流增大电路增加并保持流过熔断器fuse的电流。

2.根据权利要求1所述的高可靠性封装后修调标识电路，其特征是：所述驱动控制电路包括与非门U1以及非门U2，其中，与非门U1的输出端与非门U2的输入端连接，非门U2的输出端与NMOS管MN1的栅极端以及电流增大电路连接；通过与非门U1能同时接收烧写控制信号BURN以及锁存信号DN。

3.根据权利要求1或2所述的高可靠性封装后修调标识电路，其特征是：还包括与比较器U3适配连接的NMOS管MN2，比较器U3的第二输入端与NMOS管MN2的漏极端连接，NMOS管MN2的漏极端与比较器U3的第二输入端、熔断器fuse的第二端以及NMOS管MN1的漏极端连接，NMOS管MN2的衬底以及NMOS管MN2的源极端接地；NMOS管MN2的栅极端连接偏置电压NBIAS。

4.根据权利要求3所述的修调标识电路，其特征是：所述电流增大电路包括NMOS管MN3，NMOS管MN3的栅极端均连接偏置电压NBIAS，NMOS管MN3的衬底以及MN3的源极端接地；

NMOS管MN3的漏极端通过开关保持器U5与比较器U3的第二输入端、熔断器fuse的第二端以及NMOS管MN1的漏极端连接，所述开关保持器U5的控制端与NMOS管MN1的栅极端连接，当驱动控制电路驱动NMOS管MN1导通时，加载到NMOS管MN1栅极端的电压能触发开关保持器U5，以能通过NMOS管MN3增加并保持流过熔断器fuse的电流。

5.根据权利要求2所述的高可靠性封装后修调标识电路，其特征是：所述比较器U3的输出端与或非门U4的一输入端连接，或非门U4的另一输入端接收锁存信号DN。

6.根据权利要求1所述的高可靠性封装后修调标识电路，其特征是：所述比较器U3括恒流源Ib、输入对管、PMOS管PM2以及PMOS管PM3，其中，输入对管包括输入管组PMm以及与所述输入管组PMm适配的输入管组PMn，输入管组PMm、输入管组PMn内均包括若干PMOS管，恒流源Ib的电压端、PMOS管PM2的源极端以及PMOS管PM3的源极端均与电压VCC连接，恒流源Ib的输出端与输入管组PMm中PMOS管的源极端、输入管组PMn中PMOS管的源极端连接，输入管组PMm中所有PMOS管的栅极端相互连接后能形成比较器U3的第一输入端，输入管组PMn中所有PMOS管的栅极端相互连接能形成所述比较器U3的第二输入端，输入管组PMm内PMOS管的数量与输入管组PMn内PMOS管的数量不同；

输入管组PMm中PMOS管的漏极端与NMOS管NM1的栅极端、NMOS管NM2的漏极端、NMOS管NM2的栅极端、NMOS管NM4的漏极端以及NMOS管NM6的漏极端连接，输入管组PMn中PMOS管的漏极端与NMOS管NM3的漏极端、NMOS管NM3的栅极端、NMOS管NM1的漏极端、NMOS管NM4的栅极端以及NMOS管NM5的栅极端连接，NMOS管NM1的源极端、NMOS管NM2的源极端、NMOS管NM3的源极端、NMOS管NM4的源极端、NMOS管NM5的源极端以及NMOS管NM6的源极端均接地；

NMOS管NM5的漏极端与PMOS管PM2的漏极端、PMOS管PM2的栅极端以及PMOS管PM3的栅极端连接，PMOS管PM3的漏极端与NMOS管NM6的漏极端连接，且PMOS管PM3的漏极端与NMOS管NM6的漏极端相互连接后能形成所述比较器U3的输出端。