[实用新型]供电状态切换控制电路

权利要求书

1.一种供电状态切换控制电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第二电容、第三电容、第四电容、第一MOS管芯片、第二MOS管芯片、第三MOS管芯片、第四MOS管芯片、第一磁珠、第二磁珠以及三极管；

所述第一MOS管芯片的NS端接地，所述第一MOS管芯片的NG端经串联连接所述第二电容后接地，所述第一MOS管芯片的第一PD端与所述第一MOS管芯片的第二PD端相连至所述第三MOS管芯片的PS端，所述第一MOS管芯片的PS端经串联连接所述第一磁珠后连接至C8V信号端，所述第一MOS管芯片的PG、所述第一MOS管芯片的第一ND端及所述第一MOS管芯片的第二ND端相互连接并经串联连接所述第一电阻后连接至所述第一MOS管芯片的PS端；

所述三极管的基极经所述第九电阻连接至R/T信号端，所述三极管的集电极经串联连接所述第八电阻后连接至C8V信号端，所述三极管的发射极接地；所述R/T信号端经串联连接所述第二电阻后连接至所述第一MOS管芯片的NG端；

所述第二MOS管芯片的NS端接地，所述第二MOS管芯片的NG端连接至所述三极管的集电极，所述第二MOS管芯片的第一PD端与所述MOS管芯片的第二PD端相连接并连接至所述第四MOS管芯片的PS端；所述第二MOS管芯片的PS端经串联连接所述第二磁珠后连接至C8V信号端；所述第二MOS管芯片的PG端、所述第二MOS管芯片的第一ND端以及所述第二MOS管芯片的第二ND端相互连接并经串联连接所述第七电阻后连接至所述第二MOS管芯片的PS端；

所述第三MOS管芯片的NS端接地，所述第三MOS管芯片的NG端经串联连接所述第三电阻后连接至所述第一MOS管芯片的NG端，且所述第三MOS管芯片的NG端经串联连接所述第四电阻后接地；所述第三MOS管芯片的第一PD端与所述第三MOS管芯片的第二PD端相连后连接至R8V信号端；所述第三MOS管芯片的PG端经依次串联连接所述第六电阻和所述第五电阻后连接至所述第一MOS管芯片的第二PD端，所述第三MOS管芯片的第一ND端与所述第三MOS管芯片的第二ND端相互连接后连接至T8V信号端；所述第三电容的一端连接至所述第五电阻与所述第六电阻之前并经串联连接所述第十二电阻后接地，所述第三电容的另一端连接至所述第三MOS管芯片的PS端；

所述第四MOS管芯片的NS端接地，所述第四MOS管芯片的NG端经串联连接所述第十电阻后连接至所述第二MOS管芯片的NG端，且所述第四MOS管芯片的NG端经串联连接所述第十一电阻后接地；所述第四MOS管芯片的第一PD端与所述第四MOS管芯片的第二PD端相连后连接至T8V信号端；所述第四MOS管芯片的PG端经依次串联连接所述第十四电阻和所述第十三电阻后连接至所述第二MOS管芯片的第二PD端，所述第四MOS管芯片的第一ND端与所述第四MOS管芯片的第二ND端相互连接后连接至R8V信号端；所述第四电容的一端连接至所述第十三电阻与所述第十四电阻之前并经串联连接所述第十五电阻后接地，所述第四电容的另一端连接至所述第四MOS管芯片的PS端。

2.根据权利要求1所述的供电状态切换控制电路，其特征在于，所述第一MOS管芯片、所述第二MOS管芯片、所述第三MOS管芯片以及所述第四MOS管芯片均为同时集成了P沟道MOS管和N沟道MOS管的集成电路芯片。

3.根据权利要求2所述的供电状态切换控制电路，其特征在于，所述第一MOS管芯片、所述第二MOS管芯片、所述第三MOS管芯片以及所述第四MOS管芯片的型号均为FDMA1032CZ。

4.根据权利要求1所述的供电状态切换控制电路，其特征在于，所述第一磁珠和所述第二磁珠的型号均为PB1608-000/4A。