[实用新型]一种直流负载短路保护电路有效
| 申请号： | 202023230775.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN214100844U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 傅玲 | 申请（专利权）人： | 桂林师范高等专科学校 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12;H02H3/087 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541000 广西壮族自治区*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直流 负载 短路 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种直流负载短路保护电路，其特征是：该保护电路包括场效应管Q1、三极管Q2、可控硅T1、二极管D1、电阻R1～R4、电容C1、按键K1、电源输入端+VCC、电源输出端Vo+和Vo-，其中效应管Q1的漏极接电源输入端+VCC、二极管D1的正极和电阻R2的一端，栅极接电阻R2的另一端和三极管Q2的集电极，源极接电源输出端Vo+，二极管D1的负极接电容C1的正极和电阻R1的一端，电容C1的负极接地；三极管Q2的基极接电阻R1的另一端、按键K1的一端和可控硅T1的阳极，发射极和按键K1的另一端接地；可控硅的阴极接地，控制极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接电源输出端Vo-和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地；场效应管Q1为PMOS功率管，三极管Q2为小功率NPN管，可控硅T1为小功率单向可控硅。
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