[实用新型]一种氮化镓半导体生产用的单晶炉有效
| 申请号： | 202023235916.5 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN214458451U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 鲁煜;王祎;刘玉良;姜经理;谭大胜 | 申请（专利权）人： | 浙江中电环境科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B35/00 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 王家蕾 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体 生产 单晶炉 | ||
1.一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，包括固定框(1)、单晶炉本体(2)、抽气口(5)、搅拌轴(9)和伺服电机(11)，其特征在于：所述固定框(1)的内部通过轴承安装有单晶炉本体(2)，且单晶炉本体(2)的内部设置有加热管(3)，所述单晶炉本体(2)的底端开设有下料槽(7)，所述固定框(1)顶端通过轴承安装有贯穿单晶炉本体(2)的第一转轴(8)，且第一转轴(8)的外壁皆设置有搅拌轴(9)，所述第一转轴(8)的外壁设置有第一锥形齿轮(10)，所述单晶炉本体(2)的外壁设置有第二锥形齿轮(12)，所述固定框(1)的内侧通过轴承安装有第二转轴(13)，所述下料槽(7)的内侧通过轴承安装有第三转轴(15)，且第三转轴(15)的外壁设置有密封扇形板(16)，所述密封扇形板(16)的外壁与下料槽(7)相匹配，所述第三转轴(15)一侧安装有贯穿单晶炉本体(2)的转扭(17)，且转扭(17)的外壁设置有限位槽(18)，所述单晶炉本体(2)的一侧安装有滑轨(19)，所述单晶炉本体(2)底端的侧壁开设有滑槽(20)，且滑槽(20)的内部设置有弹簧(21)，所述固定框(1)底端的两侧皆安装有万向轮(23)，所述单晶炉本体(2)的一侧安装有观察窗(24)。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述固定框(1)的顶端设置有伺服电机(11)，且伺服电机(11)输出端通过联轴器与第一转轴(8)的顶端相连接。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述单晶炉本体(2)的顶端安装有加料口(6)，所述单晶炉本体(2)远离加料口(6)的一侧安装有抽气口(5)。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述单晶炉本体(2)的外壁设置有保温层(4)，且保温层(4)的内部填充有陶瓷板。
5.根据权利要求1所述的一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述第二转轴(13)的外壁设置有第三锥形齿轮(14)，且第三锥形齿轮(14)外壁分别与第一锥形齿轮(10)和第二锥形齿轮(12)的外壁相啮合。
6.根据权利要求1所述的一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述弹簧(21)底端安装有贯穿滑槽(20)的固定块(22)，所述固定块(22)外壁与滑轨(19)的内部相匹配。
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