[实用新型]等离子体处理装置及绝缘窗口

说明书

一种等离子体处理装置及绝缘窗口，其中，绝缘窗口包括：绝缘窗口本体；气体通道，开设于所述绝缘窗口本体内；热气体源和冷气体源，用于向所述气体通道内输送热气体和冷气体；阀装置，用于调整流通于所述气体通道内热气体相对于冷气体的混合比，以控制所述气体通道内气体的温度；控制器，用于控制所述阀装置来调整流通于所述气体通道内热气体相对于冷气体的混合比。所述绝缘窗口的温度动态可控，且均匀性较好。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体处理装置及绝缘窗口。

背景技术

等离子体处理装置被广泛应用再半导体领域内，用于对待处理基片进行高精度的加工，如：等离子体刻蚀、化学气相沉积，其中，电感耦合等离子体处理装置因具有刻蚀速率高、选择比高且大面积均匀性好的特点被广泛应用在硅刻蚀领域。所述电感耦合等离子体处理装置包括绝缘窗口，所述电感耦合等离子体处理装置内进行等离子体刻蚀工艺，在等离子体刻蚀工艺中，为了更稳定的工艺，需对绝缘窗口进行加热并保持一个较高的温度，以匹配等离子体处理装置的反应腔内的等离子体的温度。通常控制绝缘窗口的温度的方法包括：在所述绝缘窗口的表面贴设有加热器，另配置有风扇冷却来保持平衡。由于排风受限，当等离子体较强时，即使在加热器没有输出的情况下，绝缘窗口还是处于不可控的超过设定值。

因此，需要提供一种能够动态可控地调整绝缘窗口的温度。

发明内容

本实用新型解决的技术问题是提供了一种等离子体处理装置及绝缘窗口，以动态可控地调整绝缘窗口的温度。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种绝缘窗口，包括：绝缘窗口本体；气体通道，开设于所述绝缘窗口本体内；热气体源和冷气体源，用于向所述气体通道内输送热气体和冷气体；阀装置，用于调整流通于所述气体通道内热气体相对于冷气体的混合比，以控制所述气体通道内气体的温度；控制器，用于控制所述阀装置来调整流通于所述气体通道内热气体相对于冷气体的混合比。

可选的，还包括：温度传感器，用于检测所述绝缘窗口本体的温度并将检测结果发送至所述控制器，所述控制器根据检测结果和目标温度，向所述阀装置发送指示信号，指示调整流通于所述气体通道内热气体相对于冷气体的混合比。

可选的，所述热气体源的热气体温度范围为：100摄氏度～150摄氏度；所述冷气体源的冷气体温度范围为：0摄氏度～40摄氏度。

可选的，所述气体通道包括：环形通道和位于所述环形通道内的辐射形通道，所述辐射形通道的两端与环形通道连通，所述气体通道还设有与环形通道连通的入口和出口，所述入口和出口之间相互隔离；所述热气体源和冷气体源与所述入口连通，所述热气体源的热气体和冷气体源的冷气气体在气体通道内传输后，通过所述出口输出。

可选的，所述气体通道为螺旋形通道，所述螺旋形通道包括入口和出口，所述入口为螺旋形通道内的端部，所述出口为螺旋形通道外的端部。

可选的，还包括：汇合输入管路，用于汇合所述热气体源的热气体与冷气体源的冷气体，并将混合后的气体输送至所述气体通道。

可选的，还包括：输出管路，用于输出气体通道内的气体。

可选的，所述输出管路与热气体源连通。

可选的，所述绝缘窗口的材料包括：陶瓷材料或石英。

相应的，本实用新型还提供一种等离子体处理装置，包括：反应腔，其包括反应腔侧壁；上述的绝缘窗口，位于所述反应腔侧壁上方；电感线圈，位于所述绝缘窗口上方。

可选的，还包括：射频功率源，与所述电感线圈电连接；偏置功率源，与所述基座电连接。

与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下有益效果：