[实用新型]一种发光二极管芯片、背板、显示面板

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括第一半导体层，发光层和第二半导体层；

电流扩展层，位于所述第二半导体层上；

凹槽，位于所述衬底上，暴露出所述第一半导体层；

绝缘层，位于所述电流扩展层上，所述绝缘层包括一开口，所述开口位于所述凹槽的一侧，所述开口暴露出所述电流扩展层，所述开口的宽度大于所述凹槽的顶部的宽度；

第一电极，位于所述凹槽内，所述第一电极与所述第一半导体层接触；

第二电极，位于所述开口内，所述第二电极与所述电流扩展层接触；

其中，所述第一电极凸出于所述凹槽，且所述第一电极顶部的宽度大于所述凹槽顶部的宽度；

其中，所述凹槽的顶部的宽度大于所述凹槽的底部的宽度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层上，所述第二半导体层位于所述发光层上。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层包括N型半导体层，所述第二半导体层包括P型半导体层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘层还位于所述凹槽的侧壁上。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层的厚度在3-4μm之间。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二半导体层的厚度在2-10μm之间。

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电流扩展层的厚度在8-10μm之间。

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括Micro LED或Mini LED。

9.一种发光二极管背板，其特征在于，包括：

基板；

多个发光二极管芯片，设置在所述基板上，所述发光二极管芯片包括；

衬底；

外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括第一半导体层，发光层和第二半导体层；

电流扩展层，位于所述第二半导体层上；

凹槽，位于所述衬底上，暴露出所述第一半导体层；

绝缘层，位于所述电流扩展层上，所述绝缘层包括一开口，所述开口位于所述凹槽的一侧，所述开口暴露出所述电流扩展层，所述开口的宽度大于所述凹槽的顶部的宽度；

第一电极，位于所述凹槽内，所述第一电极与所述第一半导体层接触；

第二电极，位于所述开口内，所述第二电极与所述电流扩展层接触；

其中，所述第一电极凸出于所述凹槽，且所述第一电极顶部的宽度大于所述凹槽顶部的宽度；

其中，所述凹槽的顶部的宽度大于所述凹槽的底部的宽度。

10.一种发光二极管显示面板，其特征在于，包括：

电路板；

多个发光二极管芯片，设置在所述电路板上，

显示单元，设置在所述发光二极管芯片的出光方向上，所述发光二极管芯片包括；

衬底；

外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括第一半导体层，发光层和第二半导体层；

电流扩展层，位于所述第二半导体层上；

凹槽，位于所述衬底上，暴露出所述第一半导体层；

绝缘层，位于所述电流扩展层上，所述绝缘层包括一开口，所述开口位于所述凹槽的一侧，所述开口暴露出所述电流扩展层，所述开口的宽度大于所述凹槽的顶部的宽度；

第一电极，位于所述凹槽内，所述第一电极与所述第一半导体层接触；

第二电极，位于所述开口内，所述第二电极与所述电流扩展层接触；

其中，所述第一电极凸出于所述凹槽，且所述第一电极顶部的宽度大于所述凹槽顶部的宽度；

其中，所述凹槽的顶部的宽度大于所述凹槽的底部的宽度。