[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202023279899.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN214032756U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 装置 | ||
1.一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括第一坩埚、第二坩埚、第一坩埚盖和第二坩埚盖，所述第二坩埚盖盖设于所述第二坩埚上，且与所述第二坩埚共同围成用于供碳化硅单晶生长的生长空腔，所述第二坩埚设置于所述第一坩埚内，所述第一坩埚盖盖设于所述第一坩埚上，以对所述生长空腔进行保温。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一坩埚的侧壁与所述第二坩埚的侧壁之间的间距范围为0至5毫米。
3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一坩埚盖与所述第二坩埚盖之间的间距范围为0至5毫米。
4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一坩埚盖的横截面积在沿所述第一坩埚盖远离所述第二坩埚盖的方向上逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一坩埚盖呈锥台状，所述第一坩埚盖的中部的厚度大于所述第一坩埚盖的边缘的厚度。
6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第一坩埚盖呈平板状，所述第一坩埚盖远离所述第二坩埚盖的一侧开设有凹槽。
7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述凹槽设置于所述第一坩埚盖的中部。
8.根据权利要求1至7任一项所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述碳化硅单晶生长装置还包括碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶粘接于所述第二坩埚盖靠近所述生长空腔的一侧。
9.根据权利要求8所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第二坩埚盖的中部设置有凸台，所述凸台朝所述生长空腔内延伸设置，所述碳化硅籽晶粘接于所述凸台上。
10.根据权利要求1至7任一项所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述碳化硅单晶生长装置还包括加热线圈和保温碳毡，所述加热线圈围设于所述保温碳毡外，所述保温碳毡包裹于所述第一坩埚和所述第一坩埚盖外。
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