[实用新型]一种显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括

衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为低温多晶硅有源层；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层为IGZO有源层；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；

第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第二有源层朝向所述衬底基板的一侧，其中，

所述第一绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度；

所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括第一晶体管或者所述驱动电路包括第一晶体管。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二栅极背离所述衬底基板的一侧；其中，

所述第三绝缘层中的氢元素的浓度小于所述第一绝缘层中的氢元素的浓度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第二晶体管包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第二绝缘层朝向所述衬底基板的一侧，其中，

所述第三绝缘层中的氢元素的浓度小于或者等于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层中的氢元素的浓度为C1，所述第二绝缘层中的氢元素的浓度为C2，所述第三绝缘层中的氢元素的浓度为C3，其中，

C1≤2C2-C3。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第三绝缘层中，靠近第二栅极一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二栅极一侧的氢元素的浓度。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层包括氧化硅SiO_X，所述第二绝缘层包括氧化硅SiO_y，其中，x为第一绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y为第二绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，且x＜y。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层中，靠近所述第二有源层一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二有源层一侧的氢元素的浓度；

所述第二绝缘层中，靠近所述第二有源层一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二有源层一侧的氢元素的浓度。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述像素电路包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层、第三源极、第三漏极以及第四栅极，所述第三有源层为IGZO有源层；

所述显示面板还包括第四绝缘层和第五绝缘层，所述第四绝缘层位于所述第三有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第三有源层与所述第四栅极之间，所述第五绝缘层位于所述第三有源层朝向所述衬底基板的一侧；其中，

所述第四绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第五绝缘层中的氢元素的浓度。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

所述第三晶体管为所述像素电路的开关晶体管，且所述第一绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第四绝缘层中的氢元素的浓度。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

所述第三晶体管为所述像素电路的驱动晶体管，且所述第一绝缘层中的氢元素的浓度小于所述第四绝缘层中的氢元素的浓度。