[实用新型]电磁带隙结构、封装天线、雷达封装芯片以及设备有效

专利信息
申请号: 202023292388.7 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN213905601U 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 庄凯杰;李珊;陈哲凡;王典 申请(专利权)人: 加特兰微电子科技(上海)有限公司
主分类号: H01Q1/52 分类号: H01Q1/52;H01Q1/42;H01Q1/38;H01Q1/22
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201210 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 磁带 结构 封装 天线 雷达 芯片 以及 设备
【权利要求书】:

1.一种电磁带隙结构,其特征在于,应用于封装天线中,所述封装天线包括底部金属层、顶部金属层以及位于所述顶部金属层和所述底部金属层之间的至少一层中间金属层;

所述封装天线还包括至少两个天线,位于所述顶部金属层和所述中间金属层中的任一层中;

所述电磁带隙结构包括:

金属地,位于所述底部金属层;

至少两个电磁带隙单元,分别位于所述顶部金属层和所述中间金属层;

第一金属过孔,电连接所述金属地和所述至少两个电磁带隙单元;

其中,所述电磁带隙单元在所述底部金属层所在平面的垂直投影与所述天线在所述底部金属层所在平面的垂直投影不交叠。

2.根据权利要求1所述的电磁带隙结构,其特征在于,所述电磁带隙单元的形状包括圆形、椭圆形或N边形,其中,N为大于等于3的正整数。

3.根据权利要求2所述的电磁带隙结构,其特征在于,所述电磁带隙单元的形状为正八边形;

所述电磁带隙单元相对的边的距离为L1,所述电磁带隙单元的边长为L2;其中,0.25mm≤L1≤0.35mm;0.1mm≤L2≤0.25mm。

4.一种封装天线,其特征在于,包括底部金属层、顶部金属层、位于所述顶部金属层和所述底部金属层之间的至少一层中间金属层以及位于相邻金属层之间的介质层;

还包括:

至少两个天线,位于所述顶部金属层或中间金属层;以及,

多个如权利要求1-3中任一项所述的电磁带隙结构;其中,所述电磁带隙结构在所述底部金属层所在平面的垂直投影位于所述至少两个天线在所述底部金属层所在平面的垂直投影之间;

位于同一金属层的相邻的所述电磁带隙单元在第一平面的垂直投影存在交叠,且相邻的所述电磁带隙单元位于不同的电磁带隙结构;其中,该相邻的所述电磁带隙单元中心的连线垂直于所述第一平面。

5.根据权利要求4所述的封装天线,其特征在于,所述天线用于发射或接收电磁波信号,其中,所述电磁波信号为毫米波信号。

6.根据权利要求4所述的封装天线,其特征在于,位于同一金属层的相邻所述电磁带隙单元在第一平面的垂直投影重合。

7.根据权利要求4所述的封装天线,其特征在于,位于同一金属层的相邻的所述电磁带隙单元包括第一电磁带隙单元和第二电磁带隙单元;

所述第一电磁带隙单元和所述第二电磁带隙单元分别包括第一边;

所述第一电磁带隙单元的第一边为靠近所述第二电磁带隙单元的边;

所述第二电磁带隙单元的第一边为靠近所述第一电磁带隙单元的边;

相邻两个所述电磁带隙单元的第一边相互平行。

8.根据权利要求7所述的封装天线,其特征在于,位于同一金属层的相邻所述电磁带隙单元之间的距离为L3,其中,0.035mm≤L3≤0.04mm。

9.根据权利要求4所述的封装天线,其特征在于,所述电磁带隙结构在所述底部金属层所在平面的垂直投影还位于每个所述天线在所述底部金属层所在平面的垂直投影的至少一侧。

10.根据权利要求4所述的封装天线,其特征在于,所述天线包括辐射单元和与所述辐射单元电连接的馈电线;

多个所述电磁带隙结构位于所述至少两个天线的辐射单元的中心连线的两侧。

11.根据权利要求4所述的封装天线,其特征在于,包括所述天线的所述中间金属层包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面位于所述第二表面靠近所述底部金属层的一侧;

位于所述第二表面远离所述第一表面一侧的金属层分别包括镂空结构;所述镂空结构在所述底部金属层所在平面的垂直投影覆盖所述天线在所述底部金属层所在平面的垂直投影。

12.根据权利要求4所述的封装天线,其特征在于,还包括:多个第二金属过孔,位于多个所述电磁带隙结构的外围。

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