[实用新型]一种半导体晶圆切割处理胶粘带

说明书

本实用新型公开了一种半导体晶圆切割处理胶粘带，包括胶粘带主体和裁切机构，所述胶粘带主体的上方表面贴合有硫化橡胶涂层，且硫化橡胶涂层的上方表面贴合有岩棉层，所述胶粘带主体的内侧套设有收束滚筒，且收束滚筒的前方与后方均铆接有外壳，所述收束滚筒的前方焊接有转把。该半导体晶圆切割处理胶粘带，通过硫化橡胶涂层和岩棉层的设置，在该装置的使用过程中通过设置有硫化橡胶涂层，使该装置的表面更加耐磨，防止在半导体晶圆切割处理过程中胶粘带主体被碎屑磨损导致断裂，且岩棉层的设置使该装置更加耐热，可以在高温环境下进行使用，不会被半导体晶圆切割处理时的高温碎屑融化，有效提升了该装置的实用性。

技术领域

本实用新型涉及晶圆相关技术领域，具体为一种半导体晶圆切割处理胶粘带。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆，目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主，晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆，随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点，同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点，在晶圆的切割处理过程中需要使用到胶粘带，故此，我们提供半导体晶圆切割处理胶粘带。

但是目前使用的胶粘带，在使用过程中无法在高温环境下进行使用，容易被晶圆切割处理时的碎屑融化，实用性不佳。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体晶圆切割处理胶粘带，以解决上述背景技术中提出的目前使用的胶粘带，在使用过程中无法在高温环境下进行使用，容易被晶圆切割处理时的碎屑融化，实用性不佳的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体晶圆切割处理胶粘带，包括胶粘带主体和裁切机构，所述胶粘带主体的上方表面贴合有硫化橡胶涂层，且硫化橡胶涂层的上方表面贴合有岩棉层，所述胶粘带主体的内侧套设有收束滚筒，且收束滚筒的前方与后方均铆接有外壳，所述收束滚筒的前方焊接有转把，且转把的外侧贴合有橡胶防滑垫，所述裁切机构安装在外壳的上方，且外壳的上方表面开设有卡槽，所述卡槽的内侧设置有卡扣，且卡扣的一端焊接有固定块，所述固定块的前方贯穿有横杆。

优选的，所述硫化橡胶涂层的尺寸与胶粘带主体的尺寸相同，且硫化橡胶涂层的下方表面与胶粘带主体的上方表面紧密贴合。

优选的，所述岩棉层的尺寸与胶粘带主体的尺寸相同，且岩棉层的下方表面与胶粘带主体的上方表面紧密贴合。

优选的，所述收束滚筒与外壳旋转连接，且收束滚筒的直径小于外壳的直径。

优选的，所述橡胶防滑垫的内壁与转把的外壁紧密贴合，且转把呈“L”型结构设置。

优选的，所述裁切机构包括刀片、固定孔和固定杆，所述刀片安装在外壳的上方，且刀片的两侧表面开设有固定孔，所述固定孔的内侧设置有固定杆。

优选的，所述固定块通过卡扣与外壳卡合连接，且卡扣以横杆的中轴线对称设置。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、该半导体晶圆切割处理胶粘带，通过硫化橡胶涂层和岩棉层的设置，在该装置的使用过程中通过设置有硫化橡胶涂层，使该装置的表面更加耐磨，防止在半导体晶圆切割处理过程中胶粘带主体被碎屑磨损导致断裂，且岩棉层的设置使该装置更加耐热，可以在高温环境下进行使用，不会被半导体晶圆切割处理时的高温碎屑融化，有效提升了该装置的实用性；

2、该半导体晶圆切割处理胶粘带，通过收束滚筒的设置，在该装置的使用过程中通过设置有收束滚筒，方便在使用过程中放长胶粘带主体进行粘接，有效提升了该装置的实用性；