[实用新型]低压快恢复二极管

权利要求书

1.一种低压快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环，其特征在于，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上沉积碳纳米层，所述N型硅衬底和氮掺杂碳纳米层接触处设有凹陷结构，碳纳米层沉积在所述凹陷结构内。

2.根据权利要求1所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，所述N型硅衬底和氮掺杂碳纳米层接触处设有两个凹陷宽度相等的凹陷结构。

3.根据权利要求2所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，所述两处凹陷结构分别设置于高掺杂P型硅基环两侧。

4.根据权利要求1所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，所述碳纳米层为氮掺杂碳纳米层。

5.根据权利要求1所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，所述外环高掺杂N型硅发射区宽度50μm，内环硅基环宽度15μm。

6.根据权利要求5所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，所述外环高掺杂N型硅发射区、内环硅基环、高掺杂P型硅基区间的横向距离依次为65μm、45μm。

7.根据权利要求1所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，所述碳纳米层在外环高掺杂N型硅发射区、高掺杂P型硅基区的覆盖宽度分别为10μm、20μm。

8.根据权利要求1所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，低掺杂N型硅衬底上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极；两个有源区共阴极。

9.根据权利要求8所述的一种低压快恢复二极管，其特征在于，所述金属Al的厚度为4μm，所述金属Ag的厚度为0.78μm。