[实用新型]LED显示调节电路有效

专利信息
申请号: 202023320756.4 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN214377607U 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 刘召军;吕志坚;何先顺;陈锐;黄利将;盘福波;叶嘉豪 申请(专利权)人: 深圳市思坦科技有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 潘登
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: led 显示 调节 电路
【说明书】:

实用新型实施例公开了一种LED显示调节电路,包括:驱动模块、光电转换模块和数据处理模块;所述驱动模块连接LED芯片;所述光电转换模块与所述LED芯片连接,且通过所述数据处理模块与所述驱动模块;所述光电转换模块用于将所述LED芯片的光信号转换为电信号;所述数据处理模块用于对所述电信号进行处理以生成调节信号;所述驱动模块用于根据所述调节信号调节所述LED芯片的发光强度。本实用新型实施例实现了对LED芯片发光亮度的调节,使得LED阵列中的每个LED芯片的发光亮度相同,提高了Micro‑LED显示器件的发光均匀性。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种LED显示调节电路。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro-LED)具有自发光显示特性,其为全固态发光二极管,寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、具有超高分辨率,可应用于高温或辐射等极端环境,越来越多的厂家已将其作为新一代显示技术进行规划。

Micro-LED显示器件通常由驱动芯片驱动Micro-LED芯片阵列进行发光,即驱动芯片通电后,向Micro-LED芯片阵列发送驱动信号,驱动Micro-LED芯片按要求进行发光。然而每个LED芯片所需的发光参数不会完全相同,这就导致LED芯片阵列发光时,LED芯片的发光亮度参差不齐,影响Micro-LED显示器件的质量。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型实施例提供一种LED显示调节电路,以实现对LED 芯片发光亮度的调节,提高Micro-LED显示器件的发光均匀性。

本实用新型实施例提供一种LED显示调节电路,包括:驱动模块、光电转换模块和数据处理模块;所述驱动模块连接LED芯片;所述光电转换模块与所述LED芯片连接,且通过所述数据处理模块与所述驱动模块;

所述光电转换模块用于将所述LED芯片的光信号转换为电信号;

所述数据处理模块用于对所述电信号进行处理以生成调节信号;

所述驱动模块用于根据所述调节信号调节所述LED芯片的发光强度。

进一步的,所述驱动模块还用于根据驱动信号驱动所述LED芯片发光,所述驱动模块包括信号接收电路、信号保持电路和调节电路,所述信号接收电路与所述信号保持电路连接,所述信号保持电路与所述调节电路连接,所述调节电路连接所述LED芯片。

进一步的,所述信号接收电路包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接且用于接收行驱动信号,所述第一NMOS管的漏极用于接收第一列驱动信号,所述第二NMOS管的漏极用于接收第二列驱动信号。

进一步的,所述第一列驱动信号与所述第二列驱动信号互为相反信号。

进一步的,所述信号保持电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三 NMOS管和第四NMOS管;

所述第一PMOS管的栅极、所述第三NMOS管的栅极、所述第二PMOS 管的漏极和所述第四NMOS管的漏极四者相连接;

所述第二PMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极、所述第一PMOS 管的漏极和所述第三NMOS管的漏极四者相连接;

所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的源极连接,所述第四 NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的源极连接;

所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接,所述第二 PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接;

所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极均连接工作电源正极;

所述第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极均连接工作电源负极。

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