[实用新型]氮化镓高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202023324503.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660413U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;韩亚;孙越;王思元;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括从下而上依次相接设置的基板、过渡层、漂移层、电流阻挡层、通道层、势垒层、欧姆接触层和金属电极层；
所述电流阻挡层的内侧的中部设有电流阻挡层孔径；
所述电流阻挡层的外侧由内而外依次设有漂移通道内隔离层、通道漂移层和漂移通道外隔离层；
所述欧姆接触层设置在所述金属电极层下方，位于所述漂移通道内隔离层与漂移通道外隔离层之间；
所述金属电极层包括源极、源极电极、漏极电极和栅极电极；
所述源极位于势垒层外侧，并穿通势垒层嵌入通道层内；
所述源极电极位于源极的上端并与源极相连；
所述漏极电极位于欧姆接触层的上端并与欧姆接触层相接；
所述栅极电极位于势垒层上端的中部并嵌入势垒层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述基板包括Si基板、SiC基板或蓝宝石基板。
3.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述过渡层包括AlN外延层。
4.根据权利要求3所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括设置在所述AlN外延层上的AlGaN外延层。
5.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述通道漂移层、漂移层、电流阻挡层孔径和通道层为N―-GaN外延层；
所述势垒层为AlGaN外延层；
所述欧姆接触层为N+-GaN外延层。
6.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述漂移通道内隔离层、漂移通道外隔离层和电流阻挡层分别为二氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述漂移通道内隔离层、漂移通道外隔离层和电流阻挡层分别为氮化硅层。
8.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极为Ti/Au双金属层；
所述栅极电极为Ni/Au双金属层。
9.根据权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极电极和漏极电极分别为Ti/Al/Ti/Au多金属层或Cr/Al/Ti/Au多金属层。
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