[实用新型]氮化镓金属氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 202023324520.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660417U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;孙越;韩亚;王思元;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
1.氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括基板、过渡层、漂移层、有源区、栅极区、漂移通道和金属电极层；
所述基板、过渡层和漂移层自下而上依次相接设置；
所述有源区相接于漂移通道与漂移层之间；
所述有源区包括自下而上依次相接的有源区第三半导体层、有源区第二半导体层、有源区第一半导体层、有源区欧姆接触层；
所述栅极区包括栅极和栅极绝缘层；所述栅极绝缘层内嵌于有源区中；所述栅极内嵌入于栅极绝缘层中；
所述漂移通道包括自下而上依次相接的通道漂移层、漂移通道欧姆接触层以及位于通道漂移层与漂移通道欧姆接触层内侧的漂移通道内隔离层和外侧的漂移通道外隔离层；
所述有源区的两侧设有两个所述漂移通道，所述漂移通道通过漂移通道内隔离层与有源区相隔离；
所述金属电极层包括源极电极、漏极电极和栅极电极；
所述源极电极位于有源区的顶部并与有源区欧姆接触层相接；
所述漏极电极位于漂移通道的顶部并与漂移通道欧姆接触层相接；
所述栅极电极位于栅极绝缘层和栅极的顶部并与栅极相接。
2.根据权利要求1所述的氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述基板为Si基板、SiC基板或蓝宝石基板。
3.根据权利要求1所述的氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述过渡层包括AlN外延层。
4.根据权利要求3所述的氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括设置与所述AlN外延层上的AlGaN外延层。
5.根据权利要求1所述的氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述有源区第一半导体层为N-GaN外延层或P-GaN外延层；
所述有源区第二半导体层为P-GaN外延层或N-GaN外延层；
所述有源区第三半导体层、漂移层、通道漂移层为N―-GaN外延层或P―-GaN外延层；
所述有源区欧姆接触层和漂移通道欧姆接触层为N+-GaN外延层或P+-GaN外延层。
6.根据权利要求1所述的氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述漂移通道内隔离层、漂移通道外隔离层和栅极绝缘层分别为二氧化硅层或者氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述栅极为Ti/Au双金属层或Ni/Au双金属层。
8.根据权利要求1所述的氮化镓金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述源极电极、漏极电极和栅极电极分别为Ti/Al/Ti/Au多金属层或Cr/Al/Ti/Au多金属层。
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