[实用新型]氮化镓肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 202023324529.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660420U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;韩亚;孙越;王思元;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/40 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 肖特基势垒二极管 | ||
1.氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，包括基板、过渡层、漂移层、有源区、漂移通道、场板和金属电极层；
所述基板、过渡层、漂移层自下而上依次相接设置；
所述漂移通道设有两个，和所述有源区分别与漂移层的上端相接；
两个所述漂移通道分别位于有源区的两侧，并通过漂移通道内隔离层与有源区相隔离；
所述有源区包括自下而上依次相接的漂移层和有源区第一半导体层；
所述漂移通道包括自下而上依次相接的通道漂移层和漂移通道欧姆接触层以及位于通道漂移层和漂移通道欧姆接触层内外两侧的漂移通道内隔离层和漂移通道外隔离层；
所述场板设有两个；两个所述场板分别内嵌入于对应的漂移通道内隔离层中；
所述金属电极层包括阳极电极、阴极电极和场板电极；
所述阳极电极位于所述有源区的顶部并与所述有源区第一半导体层相接；
所述阴极电极位于所述漂移通道的顶部并与所述漂移通道欧姆接触层相接；
所述场板电极相接于场板的顶部，并通过场板绝缘层与有源区隔离。
2.根据权利要求1所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述基板为Si基板、SiC基板或蓝宝石基板。
3.根据权利要求1所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述过渡层包括AlN外延层。
4.根据权利要求3所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，还包括自下而上相接于AlN外延层上的AlGaN外延层。
5.根据权利要求1所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述有源区第一半导体层、漂移层、通道漂移层分别为N―-GaN外延层或P―-GaN外延层；
所述漂移通道欧姆接触层为N+-GaN外延层或P+-GaN外延层。
6.根据权利要求1所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述漂移通道内隔离层、漂移通道外隔离层和场板绝缘层分别为二氧化硅层或氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述场板为Ti/Au双金属层。
8.根据权利要求1所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阳极电极为Ni/Au双金属层。
9.根据权利要求1所述的氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阴极电极和场板电极分别为Ti/Al/Ti/Au多金属层或Cr/Al/Ti/Au多金属层。
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