[实用新型]氮化镓PIN二极管有效
| 申请号： | 202023324561.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660419U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;王思元;韩亚;孙越;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 pin 二极管 | ||
1.氮化镓PIN二极管，其特征在于，包括基板、过渡层、漂移层、阳极区、两个漂移通道、场板和金属电极层；
所述基板、过渡层、漂移层自下而上依次相接；
所述阳极区包括自下而上依次相接第二半导体层、第一半导体层和阳极区欧姆接触层；
所述漂移通道包括自下而上依次相接的通道漂移层、阴极区以及位于通道漂移层和阴极区内外两侧的漂移通道内隔离层和漂移通道外隔离层；
所述阴极区包括自下而上相接的第三半导体层和阴极区欧姆接触层；
所述阳极区和两个漂移通道分别与漂移层的上端相接；
所述漂移通道位于阳极区的两侧并由漂移通道内隔离层与阳极区相隔离；
所述场板内嵌入于漂移通道内隔离层中；
所述金属电极层包括阳极电极、阴极电极和场板电极；
所述阳极电极位于阳极区的顶部并与阳极区欧姆接触层相接；
所述阴极电极位于漂移通道的顶部与阴极区欧姆接触层相接；
所述场板电极位于漂移通道内隔离层和场板的顶部并与场板相接。
2.根据权利要求1所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述基板为Si基板、SiC基板或蓝宝石基板。
3.根据权利要求1所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述过渡层包括AlN外延层。
4.根据权利要求3所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述过渡层还包括自下而上相接于所述AlN外延层上的AlGaN外延层。
5.根据权利要求1所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述第一半导体层为P-GaN外延层或N-GaN外延层；
所述第二半导体层、漂移层、通道漂移层分别为I-GaN外延层；
所述第三半导体层为N-GaN外延层或P-GaN外延层；
所述阳极区欧姆接触层为P+-GaN外延层或N+-GaN外延层；
所述阴极区欧姆接触层为N+-GaN外延层或P+-GaN外延层。
6.根据权利要求1所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述漂移通道内隔离层和漂移通道外隔离层分别为二氧化硅层或氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述场板为Ti/Au双金属层。
8.根据权利要求1所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述阳极电极、阴极电极和场板电极分别为Ti/Al/Ti/Au多金属层。
9.根据权利要求1所述的氮化镓PIN二极管，其特征在于，所述阳极电极、阴极电极和场板电极分别为Cr/Al/Ti/Au多金属层。
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