[实用新型]高耐压碳化硅肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 202023326774.3 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN213692015U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 宋亚东 申请(专利权)人: 苏州安萨斯半导体有限公司
主分类号: H01L23/32 分类号: H01L23/32;H01L23/02;H01L23/49;H01L23/06;H01L29/872
代理公司: 苏州卓博知识产权代理事务所(普通合伙) 32491 代理人: 马丽丽
地址: 215131 江苏省苏州市相城经济技术开发区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 耐压 碳化硅 肖特基 二极管
【权利要求书】:

1.高耐压碳化硅肖特基二极管,包括二极管主体(1)与焊接可拆座(2),其特征在于:所述二极管主体(1)的一侧固定连接有连接层(3),所述连接层(3)的中部开设有焊孔(4),所述焊接可拆座(2)的下端定位连接有正极接插件(5)与负极接插件(6),所述焊接可拆座(2)的两侧固定连接有二号安装架(7)与一号安装架(8),所述一号安装架(8)的一端固定连接有一号定位架(9),所述一号定位架(9)的内表面固定连接有贴合层(10),所述二号安装架(7)的一端固定连接有二号定位架(11),所述焊接可拆座(2)的内表面固定连接有耐磨垫(12),所述焊接可拆座(2)的底部固定连接有导电插接座(13),所述二极管主体(1)的底部开设有导电槽(14),所述二极管主体(1)的外表面固定连接有耐压层(15)、耐温层(16)、绝缘层(17)、耐磨层(18)。

2.根据权利要求1所述的高耐压碳化硅肖特基二极管,其特征在于:所述焊接可拆座(2)的内侧通过二号安装架(7)、一号安装架(8)、一号定位架(9)、贴合层(10)、二号定位架(11)与二极管主体(1)的外侧为可拆卸连接。

3.根据权利要求1所述的高耐压碳化硅肖特基二极管,其特征在于:所述焊接可拆座(2)的上端通过导电插接座(13)、导电槽(14)与二极管主体(1)的下端电性连接。

4.根据权利要求1所述的高耐压碳化硅肖特基二极管,其特征在于:所述焊接可拆座(2)与正极接插件(5)、负极接插件(6)之间设置有焊接块,所述焊接可拆座(2)的下端通过焊接块与正极接插件(5)、负极接插件(6)的上端固定连接,所述焊接可拆座(2)与耐磨垫(12)之间设置有绝缘胶,所述焊接可拆座(2)的内表面通过绝缘胶与耐磨垫(12)的内表面固定连接。

5.根据权利要求1所述的高耐压碳化硅肖特基二极管,其特征在于:所述焊接可拆座(2)与二号安装架(7)、一号安装架(8)之间设置有定位块,所述焊接可拆座(2)的两侧通过定位块与二号安装架(7)、一号安装架(8)的内侧定位连接,所述焊接可拆座(2)与导电插接座(13)之间设置有固定块,所述焊接可拆座(2)的底部通过固定块与导电插接座(13)的下端固定连接。

6.根据权利要求1所述的高耐压碳化硅肖特基二极管,其特征在于:所述二极管主体(1)与耐压层(15)、耐温层(16)、绝缘层(17)、耐磨层(18)之间通过浇注的方式一体成型。

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