[实用新型]一种自来水厂沉淀池

说明书

本实用新型公开一种自来水厂沉淀池，包括：池体，设置在所述池体进水端的配水墙，设置在所述池体出水端的若干集水槽，以及设置在所述池体内沿进水端到出水端方向走向的若干导流墙；其特征在于，在相邻两所述导流墙之间设有至少一个导流矮墙，所述导流矮墙与所述导流墙平行设置，所述导流矮墙的高度介于所述导流墙高度的1/3‑1/5之间。本实用新型通过在相邻两导流墙之间增加特定高度的导流矮墙，使得弗劳德数Fr明显增大、雷诺数Re明显减少，有效提高整个沉淀池的沉淀效果，沉淀效果更好。

技术领域

本实用新型涉及水处理设备技术领域，尤其涉及一种自来水厂的沉淀池。

背景技术

目前，常见的自来水厂沉淀池都是利用接触絮凝沉淀原理来去除水中悬浮物，具体结构主要包括：池体，设置在池体进水端的配水墙，设置在池体出水端的集水槽，以及设置在池体内沿进水端到出水端方向走向的若干导流墙。但现有的导流墙其高度与池体高度接近，这也使得相邻两导流墙之间的间隔需要设计得相对较远(控制成本的需要)，沉淀效果不是十分理想。另外，现有技术中的集水槽长度也设计得较短，一般为池体总长度的十分之一左右，出水浊度相对较高。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种沉淀效果更好的自来水厂沉淀池。

为达到以上目的，本实用新型采用如下技术方案。

一种自来水厂沉淀池，包括：池体，设置在所述池体进水端的配水墙，设置在所述池体出水端的若干集水槽，以及设置在所述池体内沿进水端到出水端方向走向的若干导流墙；其特征在于，在相邻两所述导流墙之间设有至少一个导流矮墙，所述导流矮墙与所述导流墙平行设置，所述导流矮墙的高度介于所述导流墙高度的1/3-1/5之间。

更为优选的是，在相邻两所述导流墙的中间位置设有一个所述导流矮墙，且所述导流矮墙的高度为所述导流墙高度的1/4。

更为优选的是，所述配水墙为格栅配水墙，在所述格栅配水墙上开设有若干相互平行的条形孔，各所述条形孔的开孔面积之和不小于总面积的40％。

更为优选的是，所述集水槽的数量为所述导流墙和所述导流矮墙的数量之和，且与所述导流墙和所述导流矮墙一一对应。

更为优选的是，各所述集水槽的长度一致，且所述集水槽的长度为池体总长度的15-20％。

更为优选的是，所述集水槽为U形槽，在所述集水槽的壳壁上开有若干透水孔。

更为优选的是，对应所述集水槽设有相应的集水槽支撑柱；在所述池体的底部设有固定底梁，所述集水槽支撑柱的底部与所述固定底梁套接固定。

更为优选的是，在所述池体的底部设有与所述导流墙垂直的若干排泥沟，在各所述排泥沟内设有排泥管。

更为优选的是，所述排泥沟的横截面呈梯形，相邻两所述排泥沟之间的间隔不超过30m。

更为优选的是，所述排泥管为塑料管，在所述排泥管的侧壁开设有若干通孔。

本实用新型的有益效果是：通过在相邻两导流墙之间增加特定高度的导流矮墙，使得弗劳德数Fr明显增大、雷诺数Re明显减少，有效提高整个沉淀池的沉淀效果，沉淀效果更好。同时，通过将集水槽的长度限定在池体总长度的15-20％之间，可以有效防止反矾花现象，降低出水浊度。

附图说明

图1所示为本实用新型提供的自来水厂沉淀池的结构示意图。

图2所示为图1的A-A剖视图。

图3所示为图1的B-B剖视图。

图4所示为图1的C-C剖视图。

图5所示为图1的D-D剖面局部示意图。

附图标记说明：