[实用新型]芯片及固态纳米孔微阵列装置

权利要求书

1.一种芯片，其特征在于，包括SOI硅片和掩膜层；

所述SOI硅片包括埋氧层、顶面硅层和底面硅层，所述顶面硅层和所述底面硅层分别设置在所述埋氧层的顶面及底面；

所述掩膜层分别沉积在所述顶面硅层和所述底面硅层上；

所述掩膜层上分别蚀刻有露出所述顶面硅层和所述底面硅层的轨迹线，每个所述掩膜层上的所述轨迹线的条数至少为2条；

沿着所述轨迹线，所述顶面硅层和所述底面硅层上分别腐蚀形成露出所述埋氧层的V形槽，所述顶面硅层上的V形槽间平行设置，所述底面硅层上的V形槽间平行设置，且所述顶面硅层的V形槽与所述底面硅层的V形槽呈预设角度相交设置；

所述埋氧层上位于所述顶面硅层和底面硅层的V形槽交汇处腐蚀有纳米孔。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述掩膜层为采用LPCVD、PECVD或磁控溅射金属在所述顶面硅层和所述底面硅层同时沉淀形成的氧化硅膜层、氮化硅膜层或者金属膜层。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述轨迹线通过等离子体刻蚀机或金属干刻机刻蚀而成。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述轨迹线沿着预设线条刻蚀而成；

所述预设线条为旋涂在所述掩膜层上的光刻胶层经过煎膜，光刻，显影而成，所述预设线条穿过所述光刻胶层且露出所述掩膜层。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述V形槽为经过去除光刻胶层后腐蚀形成。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述V形槽通过单面腐蚀夹具分别将所述顶面硅层及所述底面硅层浸入碱液腐蚀而成。

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述纳米孔通过BOE溶液腐蚀所述埋氧层形成；

所述预设角度为90°；

所述纳米孔的直径大于或者等于1nm，且小于或者等于100nm；

所述纳米孔的个数大于或者等于2个，且小于或者等于40000个；

所述金属膜层为Al膜层、Ni膜层、Cu膜层、Ti膜层或者Au膜层；

所述碱液为KOH溶液或者TMAH溶液。

8.一种固态纳米孔微阵列装置，其特征在于，包括第一微流控构件、第二微流控构件、第三微流控构件及如权利要求1-7中任意一项所述的芯片；

所述第一微流控构件密封所述芯片的底面，所述第二微流控构件密封所述芯片的周向，所述第三微流控构件密封所述芯片的顶面；

所述第一微流控构件上开设有第一预设个第一沟槽连接端口，且所述第一沟槽连接端口与所述底面硅层上的V形槽一一对应导通设置；

所述第三微流控构件上开设有第二预设个第二沟槽连接端口，且所述第二沟槽连接端口与所述顶面硅层上的V形槽一一对应导通设置。

9.根据权利要求8所述的固态纳米孔微阵列装置，其特征在于，所述第一微流控构件通过微流控技术开设有第一微流控通道，且所述第一微流控通道导通所述第一沟槽连接端口及所述底面硅层上的V形槽。

10.根据权利要求9所述的固态纳米孔微阵列装置，其特征在于，所述第三微流控构件通过微流控技术开设有第二微流控通道，且所述第二微流控通道导通所述第二沟槽连接端口及所述顶面硅层上的V形槽。