[实用新型]一种防死机的MOS管驱动电路、电源及电子设备有效
申请号: | 202023339016.5 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN214014207U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 田宝军;安飞虎;李欣 | 申请(专利权)人: | 深圳飞安瑞科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H03K17/04;G05B19/042;G05B19/048 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄广龙 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明区玉塘街道田寮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 死机 mos 驱动 电路 电源 电子设备 | ||
1.一种防死机的MOS管驱动电路,其特征在于,包括:
微处理器;
稳压器,所述稳压器的输入端连接电源;
第一场效应管,所述第一场效应管的源极连接所述电源;
驱动模块,所述驱动模块包括:
控制模块,所述控制模块的输入端连接所述微处理器;
第一电容,所述第一电容的第一端连接所述第一场效应管的栅极;所述第一电容的第二端连接所述控制模块的输出端;
所述微处理器用于输出第一控制信号,所述控制模块用于根据所述第一控制信号输出第二控制信号,所述第一电容用于根据所述第二控制信号改变所述第一场效应管的通断状态,所述第一场效应管用于控制所述电源对负载供电。
2.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路,其特征在于,所述驱动模块还包括:
第二电容,所述第二电容的第一端连接所述电源,所述第二电容的第二端接地;
第一电阻,所述第一电阻的第一端分别连接所述第一场效应管的源极和所述电源,所述第一电阻的第二端分别连接所述第一场效应管的栅极和所述第一电容的第一端;
第一稳压二极管,所述第一稳压二极管的阳极分别连接所述第一电阻的第二端、所述第一场效应管的栅极和所述第一电容的第一端,所述第一稳压二极管的阴极分别连接所述第一电阻的第一端、所述第一场效应管的源极和所述电源。
3.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路,其特征在于,所述控制模块包括:
三极管,第二二极管,第二场效应管,第二电阻,第三电阻,第四电阻;
所述三极管的基极连接所述第二电阻的第二端,第二电阻的第一端连接所述稳压器的输出端,所述三极管的集电极连接所述稳压器的输出端,所述三极管的发射极连接所述第一电容的第二端;
所述第二二极管的阳极分别连接所述三极管的发射极和所述第一电容的第二端,所述第二二极管的阴极分别连接所述三极管的基极和所述第二电阻的第二端;
所述第二场效应管的栅极分别连接所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第一端,所述第四电阻的第二端接地,所述第三电阻的第一端连接所述微处理器,所述第二场效应管的漏极分别连接所述第二二极管的阴极、所述三极管的基极和所述第二电阻的第二端,所述第二场效应管的源极接地;
所述第二电阻的第一端分别连接所述稳压器的输出端和所述三极管的集电极,所述第二电阻的第二端分别连接所述三极管的基极、所述第二二极管的阴极和所述第二场效应管的漏极;
所述第三电阻的第一端连接所述微处理器,所述第三电阻的第二端连接所述第二场效应管的栅极;
所述第四电阻的第一端分别连接所述第三电阻的第二端和所述第二场效应管的栅极,所述第四电阻的第二端分别连接所述第二场效应管的源极和接地。
4.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路,其特征在于,所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括:
滤波模块,所述滤波模块连接所述第一场效应管的漏极,所述滤波模块用于对所述第一场效应管的输出信号进行滤波处理,然后输出给负载。
5.根据权利要求4所述的一种防死机的MOS管驱动电路,其特征在于,所述滤波模块包括:
第三二极管,所述第三二极管的阴极连接所述第一场效应管的漏极,所述第三二极管的阳极接地;
电感,所述电感的第一端分别连接所述第一场效应管的漏极和所述第三二极管的阴极;
第三电容,所述第三电容的第一端连接所述电感的第二端,所述第三电容的第二端分别连接所述第三二极管的阳极和接地;
第四电容,所述第四电容的第一端分别连接所述电感的第二端和所述第三电容的第一端,所述第四电容的第二端分别连接所述第三二极管的阳极、第三电容的第二端和接地。
6.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路,其特征在于,所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括:
采样模块,所述采样模块连接负载和所述微处理器,所述采样模块用于根据所述微处理器输出的第三控制信号,对负载电流进行采样。
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