[实用新型]一种用于叠瓦组件的太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种用于叠瓦组件的太阳能电池，其包括硅片，依次设于所述硅片正面的扩散层、第一钝化层、第一减反层和正面电极，依次设于硅片背面的第二钝化层、第二减反层和背面电极；相邻正面电极之间设有切割槽，切割槽的底部和侧壁均设有第一钝化层和第一减反层；所述切割槽的深度：所述硅片的厚度＝1：(5～100)。实施本实用新型，可有效减少切割过程中的复合损失，提升叠瓦组件的转化效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及用于叠瓦组件的太阳能电池。

背景技术

太阳能电池产业发展过程中，提升电池片的尺寸成为一种趋势，其可一定程度上提升组件转化效率和功率。因此，厂家通常将电池片切割成小组件之后再组装成叠瓦组件。在切割时，通常采用激光切割。然而，激光切割时，边缘的晶体硅边缘的晶体硅将发生融化再结晶现象，然而该过程是一瞬间完成的，再结晶会转化为不规则的非晶硅物质，此时的电池片边缘会有大量的位错、缺陷、悬挂键以及复合中心，都将严重影响到电池片的效率。此外，由于切割时激光功率较高，容易造成电池片开裂。因此，如何降低叠瓦用太阳能电池切割过程中的复合损失，硅片开裂是亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种用于叠瓦组件的太阳能电池，其可有效降低太阳能电池切割时造成的复合损失。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种用于叠瓦组件的太阳能电池，其包括硅片，依次设于所述硅片正面的扩散层、第一钝化层、第一减反层和正面电极，依次设于硅片背面的第二钝化层、第二减反层和背面电极；

相邻正面电极之间设有切割槽，切割槽的底部和侧壁均设有第一钝化层和第一减反层；所述切割槽的深度：所述硅片的厚度＝1：(5～100)。

作为上述技术方案的改进，所述切割槽的深度为4～15μm，宽度为30～150μm。

作为上述技术方案的改进，所述切割槽设于相邻正面电极的中央。

作为上述技术方案的改进，所述正面电极包括相互垂直的主栅电极和副栅电极，所述切割槽与所述主栅电极平行。

作为上述技术方案的改进，所述硅片为P型硅片，所述扩散层为N⁺型扩散层。

作为上述技术方案的改进，所述第一钝化层为氧化硅层或氮氧化硅层，所述第一减反层为氮化硅层。

作为上述技术方案的改进，所述第二钝化层为氧化铝层、氧化硅层和/或氮化硅层，所述第二减反层为氮化硅层。

作为上述技术方案的改进，所述第一钝化层为氧化硅层，所述第二钝化层为氧化铝层和氧化硅层叠层结构。

作为上述技术方案的改进，还包括多个设于所述扩散层下方的重掺杂区，所述重掺杂区的宽度为200～2000μm。

作为上述技术方案的改进，所述硅片正面为金字塔型绒面结构。

实施本实用新型，具有以下有益效果：

本实用新型的用于叠瓦组件的太阳能电池，在相邻正面电极之间设置了切割槽，在后期切割时，可沿着这种切割槽将太阳能电池片切断，形成太阳能电池切片。切割槽的设置，可有效降低后期切割过程中所采用激光的功率，减小激光热影响去，从而减少了后期切割带来的复合损失；同时也减少了切割裂、隐裂等缺陷发生的概率。

附图说明

图1是本实用新型一实施例中用于叠瓦组件的太阳能电池的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例中用于叠瓦组件的太阳能电池的正面结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。