[发明专利]阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202080000146.X | 申请日: | 2020-02-19 |
公开(公告)号: | CN114667604A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 刘冬妮;玄明花;郑皓亮;肖丽;陈亮;陈昊;张振宇;陈蕾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其中,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的第一表面形成电极结构,所述电极结构被配置为与发光器件电连接;
在所述电极结构背离所述衬底基板一侧形成覆盖所述衬底基板的第一保护结构;
翻转所述衬底基板;
在所述衬底基板的第二表面形成绑定端子,所述第二表面与所述第一表面相对设置;
再次翻转所述衬底基板,对所述第一保护结构进行构图,暴露出所述电极结构。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其中,所述在所述电极结构背离所述衬底基板一侧形成第一保护结构,具体包括:
在所述电极结构背离所述衬底基板一侧形成多个第一隔垫物,所述第一隔垫物在所述衬底基板上的正投影与所述电极结构在所述衬底基板上的正投影互不重叠;
在所述第一隔垫物背离所述衬底基板一侧形成第一保护膜。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其中,所述对所述第一保护结构进行构图,具体包括:
对所述第一保护膜进行构图,以暴露所述电极结构的至少部分表面。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其中,在再次翻转所述衬底基板之前,还包括:
在所述绑定端子背离所述衬底基板一侧形成第二保护结构。
5.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其中,所述在所述绑定端子背离所述衬底基板一侧形成第二保护结构,具体包括:
在所述绑定端子背离所述衬底基板一侧形成第二隔垫物,所述第二隔垫物在所述衬底基板上的正投影与所述绑定端子在所述衬底基板上的正投影互不重叠;
在所述第二隔垫物上形成第二保护膜;
对所述第二保护膜进行构图,以暴露所述绑定端子的至少部分表面。
6.一种阵列基板,其中,包括:
衬底基板;
电极结构,所述电极结构位于所述衬底基板的第一表面,所述电极结构被配置为与发光器件电连接;
绑定端子,所述绑定端子位于所述衬底基板的第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对设置;
第一保护结构,所述第一保护结构位于所述电极结构背离所述衬底基板一侧,所述第一保护结构暴露所述电极结构的至少部分表面。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其中,所述第一保护结构包括:
位于所述电极结构背离所述衬底基板一侧的多个第一隔垫物,以及位于所述第一隔垫物背离所述衬底基板一侧的第一保护膜;
所述第一隔垫物在所述衬底基板上的正投影与所述电极结构在所述衬底基板上的正投影互不重叠;
所述第一保护膜具有第一开口区域,所述电极结构在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述第一开口区域在所述衬底基板上的正投影。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其中,所述第一隔垫物的高度的取值范围在1μm~30μm;
所述第一保护膜的厚度的取值范围在1μm~5μm。
9.如权利要求6所述的阵列基板,其中,还包括:第二保护结构;
所述第二保护结构位于所述绑定端子背离所述衬底基板的一侧。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其中,所述第二保护结构包括:
第二隔垫物,所述第二隔垫物位于所述绑定端子背离所述衬底基板一侧,所述第二隔垫物在所述衬底基板上的正投影与所述绑定端子在所述衬底基板上的正投影互不重叠;
第二保护膜,所述第二保护膜位于所述第二隔垫物背离所述衬底基板一侧,且所述第二保护膜具有第二开口区域,所述第二开口区域暴露所述绑定端子的至少部分表面。
11.一种显示面板,其中,包括权利要求6-10任一项所述的阵列基板,以及与所述阵列基板电连接的多个发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的